DFT笔记112

一个测量floating component的可替代的办法是加压测流，如下图所示：

用这个配置的时候务必要小心，下图展示的是图11.53等效的电路模型：

DUT的电压和电流公式为：

由于理想的电压源和理想的电流测量仪的输出电阻应该是0Ω，那么上面两个公式退化方程变为：

11.4.4.3 Complex Network Measurement

更多的pins之间的网络连接可以用相似的方式测量，下图展示的就是一个典型的一个电路的P1/P2和另一个电路的P3/P4之间的两端口网络连接，所有的pins假设都配备有ABMs：

考虑一个H参数的例子：

下表对应就是H参数测量的配置：

测量这个两端口网络，比如有：

1. short-circuit admittance (Y)
2. open-circuit impedance (Z)
3. inverse-hybrid (G)

可以用相似的方法。

11.4.4.4 High-Performance Configuration

上面也有讨论过，CMOS开关的电阻阻值比金属导线高很多，这就导致测试总线的寄生电容成为了一个重要的考量，像图11.43所示的一样，总线的走线环绕着整个板子并且连接到每一个1149.4的芯片上，整个和总线相关的寄生电容的量级在几十个pF， 一个典型的pin的寄生电容一般是2∼4pF，一个连线大概是0.5∼1pF，1-cm wire电容有0.25∼0.5pF，所以带宽严重受限于总线的寄生电容和开关的寄生电阻，这样的话高频信号就不能被送入去测试高速电路。所以对于有特殊测试需求的电路，高频激励需要有，用来去激发频率相关的故障，在这样的需求下，有一个标准的建议就是将passive switches替换为active current buffers and voltage buffers，下图展示的就是一个buffered ABM and TBIC：

11.5 CONCLUDING REMARKS

总之在模拟和混合信号测试中，经验和知识一样重要，而且未探索到的领域多于探索到的，在混合与模拟信号测试中，拥有：

1. 长期投入
2. 深入调查
3. 创新思维

才能取得成功。