一、anti-bloomimg功能
埃科光电的线阵新产品有高信噪比和anti-bloomimg功能，了解一下
二、溢出现象（Blooming）的产生原因
参考文章路径：https://andor.oxinst.com/learning/view/article/ccd-blooming-and-anti-blooming
当单个像素内的电荷超过饱和电平，电荷开始流入相邻像素时，就会发生溢出现象。
CCD传感器的设计通常便于电荷沿垂直方向转移，同时设置势垒，抑制电荷向水平方向扩散。因此，溢出的电荷会优先流向垂直方向的邻近像素，最终形成典型的垂直拖尾条纹。
2.1 现象
当画面中存在强光点（灯泡、太阳、激光、反光亮点）时，感光像素电荷会饱和，多余电荷会向外溢流扩散到相邻像素，造成：
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亮点垂直拖尾、竖线
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强光区域发白扩大、光晕，掩盖周围细节
Anti‑Blooming 就是抑制电荷溢流，防止强光 "漫出来污染邻近像素"。
2.2 图像传感器
图像传感器应对bloom现象时，有以下类型：
CCD 传感器：部分CCD 有抗溢漏结构，抗光晕能力很强，缺点是降低量子效率；
CMOS 传感器：大部分 CMOS 抗 blooming 能力弱，成本低，于是部分工业 CMOS 设计了专门的抗溢漏电路来应对blooming。
2.3 抗溢漏电路电路设计
部分传感器内置专门的抗溢出结构，用于抑制溢出现象。抗溢出结构会在电荷溢出像素之前，将多余电荷泄放掉，以此消除溢出效应。
但抗溢出结构会降低传感器的有效量子效率，还会引入信号非线性。因此，对于弱光探测、高精度测量类应用，不建议选用带抗溢出功能的传感器。
2.4 多帧短曝光求和
为了避免电荷溢出，还可以采用多次短曝光结果累加求和，等效总曝光时长为单次曝光时长乘以累加次数。
缺点是单次曝光下的本底噪声，也会乘累加次数，相比长曝光相当于放大了本底噪声。
如果每一次短曝光的信号都控制在接近饱和但未饱和的水平，累加之后，信号的动态范围也会随累加次数同步提升。
三、 应用场景
- 需要拍强光场景：焊接电弧、太阳、车灯、激光光斑，打开 Anti‑Blooming
- ❇️暗光、弱光测量场景：尽量关闭，获得更大满阱、更高动态范围。
区分概念：
- Blooming（溢漏 / 光晕拖尾）：传感器电荷溢出，靠 anti‑blooming 电路解决；
- Lens flare（镜头眩光）：镜片反射杂光，只能靠遮光罩、镀膜镜头改善，软件 / 传感器功能消不掉。