一、产品整体概述
EG1125 是集成 800V NPN 功率 BJT 的准谐振 QR‑PSR 原边反馈反激开关芯片，SOP‑7 封装，无需光耦，原边采样实现恒压恒流；整机最大输出功率 12W；CV 模式调幅 AM + 调频 FM 多模式控制，CC 模式采用调频；内置线电压、负载恒流补偿，支持可调线损补偿；待机功耗＜30mW，工作静音无异音；恒压恒流调整率＜±5%；集成全套保护；适用于手机充电器、LED 驱动、小功率 AC‑DC 适配器。
架构说明：内置高压功率三极管，不是 MOS；原边反馈，省去光耦与副边 CC‑CV 芯片，简化小功率适配器 BOM。
二、五大核心差异化硬件优势
‑ 集成 800V 高压 BJT 功率管，准谐振 QR 工作 片内集成 800V 集电极耐压功率晶体管；准谐振谷底开通，降低开关损耗，提升效率；多模式控制：恒压 AM/FM 混合，恒流纯调频，无音频噪音，动态响应快。
‑ 原边反馈，无需光耦，补偿功能齐全 依靠变压器辅助绕组采样，不需要光耦；内置线电压补偿、负载恒流补偿；可调输出线损补偿，改善线缆压降带来的输出偏差；CC/CV 精度＜±5%。
‑ 低待机功耗 待机功耗＜30mW；VDD 启动电流典型 1.1μA，降低启动回路损耗。
‑ 完备集成保护体系
- VDD：UVLO 欠压、OVP 过压、26V 齐纳钳位；
- CS 逐周期 OCP 限流，450ns LEB 前沿消隐，滤除开通尖峰；
- FB 引脚输出短路 SLP 保护；FB 输出过压 OVP；引脚悬空保护；
- 芯片内置 OTP 热关断：160℃关断，135℃自动恢复。
‑ SOP‑7 贴片封装，外围元器件精简 适合 5‑12W 小功率充电器，变压器辅助绕组做 VDD 供电与反馈采样。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 集成 800V 功率 BJT，准谐振原边 PSR 反激；
- CV：AM+FM 多模式；CC 调频控制；
- 线电压、负载补偿、可调线损补偿；
- 前沿消隐 LEB，逐周期限流 OCP；
- 输出短路 SLP、输出过压 OVP、引脚悬空保护；
- VDD 欠压 / 过压 / 钳位；芯片内置 160℃热关断。
⚠️重要限制
- 内置是 BJT 三极管，非 MOS 管；整机功率上限 12W，不适合更大功率；
- 原边反馈，输出精度弱于光耦副边闭环方案；
- 需要变压器辅助绕组同时完成 VDD 供电 + FB 反馈采样；
- 无独立使能引脚；故障大部分为自动重启，无 nFAULT 故障引脚。
四、引脚功能定义（SOP‑7）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | VDD | Power | 芯片供电，变压器辅助绕组供电；内置 26V 齐纳钳位，UVLO/OVP 检测 |
| 2 | FB | I | 反馈与准谐振退磁检测输入，接变压器辅助绕组分压 |
| 3 | FB | I | 反馈引脚，和 2 脚并联 |
| 4 | CS | I | 原边电流采样，接采样电阻到 GND；OCP 逐周期限流，阈值 480mV，450ns LEB |
| 5、6 | C | Power | 内置 BJT 集电极，接变压器原边 |
| 7 | GND | GND | 芯片地 |
关键典型参数
- CS 限流阈值典型：480mV；LEB：450ns
- FB 内部基准：1.25V；短路阈值 0.5V
- 热关断 TSD：160℃，恢复 135℃
- VDD：开启 10V，关断 3.6V；VDD 过压 23V；钳位 26V
五、外围元器件标准化选型规范
- VDD 供电：由变压器辅助绕组整流滤波供给 VDD，就近放置滤波电容。
- FB 反馈网络：辅助绕组电阻分压送入 FB 引脚，完成输出采样 + QR 退磁检测。
- CS 电流采样：CS 引脚对地接功率采样电阻，设置原边峰值电流。
- 功率变压器：适配≤12W 反激，辅助绕组要同时兼顾 VDD 供电和反馈信号。
- 输入、输出按反激规范配置高压电解、输出滤波电容。
六、PCB 布线硬性规范
- VDD 滤波电容紧靠 VDD‑GND。
- C 引脚（功率集电极）高压走线短、宽度足够，远离 FB 小信号反馈走线，防止高压噪声干扰采样。
- CS 采样电阻紧靠芯片 GND，CS 走线短，避开功率环路，避免误触发 OCP。
- FB 分压电阻走线远离功率开关节点，保证采样精度。
- 功率地与信号地单点汇合。
七、主流应用场景
5‑12W 手机充电器、LED 照明电源、小功率 AC‑DC 适配器。