硬件工程

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自动售卖机状态机设计精解设计状态机时有一个很好用的问题：“当前输入消失以后，我还需要记住什么信息？”实现自动售卖机功能，A饮料5元钱，B饮料10元钱，售卖机可接收投币5元钱和10元钱，每次投币只可买一种饮料，考虑找零的情况。

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循环序列生成与并串转换模块设计编写一个模块，实现循环输出序列001011。设计一个模块进行并串转换，要求每四位d输为转到一位dout输出，输出valid_in表示此时的输入有效

磁式编码器技术特性与场景优势分析，医疗机器人领域应用展望在精密运动控制、智能传感检测领域，编码器的检测精度、环境稳定性、响应速度与使用寿命，直接决定伺服系统、智能装备的控制性能。相较于传统机械式、光电式编码器，磁式编码器依托磁传感技术与一体化固态工艺，在小型化、高可靠性、工况适配性上具备显著优势，目前已广泛应用于医疗精密设备、工业机器人、自动化控制系统等高端场景。本文基于工艺参数、技术原理与场景适配性，客观分析磁式编码器的技术优势与行业发展前景。

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EG1164 高压大电流升压同步整流芯片解析一、芯片核心特点 EG1164 内部整合基准电源、振荡器、误差放大器、逐周期限流、半桥驱动等全套功能，外围搭配 MOS 管、电感、电阻电容，就可以搭建完整的升压电源。 1.开关频率灵活可调只需要外接一颗电容，就能够调整芯片的工作开关频率，频率调节范围最高到 300KHz。开发者可以结合产品对 EMI、整机体积的实际需求选择合适的工作频率。 2.完善的欠压锁定机制芯片自身供电电压适用范围 4‑20V，内置欠压锁定保护。当供电电压过低，芯片会停止工作，避免电源在电压不足的状态下异常运行，保障系统稳定。 3

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EG2184 半桥栅极驱动芯片详解：高压半桥电路的性价比之选一、芯片核心特性 EG2184 是面向 N 沟道功率管的半桥驱动芯片，采用单电源配合自举电路完成上桥悬浮驱动，核心性能特点如下。高端悬浮耐压可达 600V，能够适配绝大多数市电输入的高压半桥拓扑。逻辑输入同时兼容 3.3V、5V 单片机电平，可以直接和 MCU IO 口相连，无需额外电平转换电路。芯片最高支持 500kHz 工作频率，能够满足高频开关电源的使用需求。芯片驱动供电 VCC 工作范围 10V‑20V，工程上一般选用 15V 作为 MOS 管的驱动电压。输出驱动能力拉电流 1.9A，灌电流

TinyML 模型部署：从 Edge Impulse 到 STM32F103🧭 文章档案｜STM32 TinyML 手势识别系列📌 编号：No.75　｜　🚀 阶段：第一阶段 · 模型部署　｜　🛠️ 类型：嵌入式实战

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EG1196S：高压宽输入降压 DC‑DC 芯片，电动车工业电源的优选方案一、核心性能亮点 EG1196S 采用 ESOP‑8 封装，属于外置 MOS 架构的降压控制器，配合外接功率 MOS 管，能够实现 10A 以上大电流输出，摆脱芯片本身的功率限制。 1.超宽高压输入工作输入电压覆盖 10V‑120V，具备充足的耐压余量，适配电动车电池、工业直流母线这类电压波动剧烈的供电环境，可以承受电池满电、电压尖峰冲击，降低高压损坏风险。 2.零功耗使能关断 EN 使能引脚高电平，电源开始工作；拉低使能脚后进入待机状态，待机功耗极低。适合电池供电设备，关机后几乎不消耗电池电量，有效避

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EG2121 250V 单路半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicroEG2121 是屹晶单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT；高端 VB 悬浮耐压最高250V；VCC 供电10‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉 0.8A、灌 1.2A；HIN 高电平有效，LIN 低电平有效；内置 VCC 欠压保护、硬件死区、桥臂互锁闭锁；HIN 内置 200kΩ 下拉，LIN 内部上拉至 5V，输入悬空输出全部关闭；静态电流 50‑180μA；最高开关频率 500kHz；用于无刷电机、变频水泵、电动车控制器、高压快充、250V

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EG1165 / EG1165S 600V 半桥 PWM 控制芯片｜屹晶 EGmicroEG1165 / EG1165S 为高压半桥 PWM 控制器，SOP‑16 封装，集成 600V 半桥栅极驱动，外置半桥功率 MOS；VCC 供电 10‑20V；HO/LO 图腾柱驱动拉 1.5A、灌 2A；外接 CP 电容设置振荡频率20Hz‑500kHz；内置 5V 基准、误差放大器、软启动、逐周期限流、前沿消隐；最大占空比 47.5%；EG1165 与 EG1165S 差异主要是UVLO 欠压阈值不同：EG1165 开启 16V / 关断 8V，需要高压启动电阻；EG1165S 开启 8.5V /

不会声调的博er

AD16 在 PCB 中修改网络级焊盘颜色

智者知已应修善业

【4060BD_5V应用电路图】2022-12-24缘由振荡器和分频器怎么连接啊-嵌入式-CSDN问答友友们，这两个部分要怎么联系起来啊，实在不会了，没有系统学过这部分知识，右边是振荡器，左边是秒脉冲产生电路，4060分频

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EG4318 / EG4319 / EG4320 铅酸电池三段式充电副边管理芯片｜屹晶 EGmicroEG4318/EG4319/EG4320 是屹晶AC‑DC 副边三段式铅酸电池充电管理芯片，SO‑8 / DIP‑8 封装，配合原边 PWM 控制器（EG1253、UC3842 等），通过光耦实现闭环控制；完整实现恒流 CC→恒压 CV→浮充 Float三段自动充电逻辑。VCC 供电3.5‑18V，静态电流典型 1.6mA；内部多路高精度基准源，内置 LED 指示灯驱动；VOUT 引脚仅灌电流输出，驱动光耦副边。

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EG1253 电流模式 PWM 控制器｜屹晶 EGmicroEG1253 是屹晶电流模式反激 / 正激通用 PWM 控制器，SOP‑8 / DIP‑8 封装，外置功率 MOS 管。VCC 工作 9.5‑28.2V；启动电流仅 6μA；RI 引脚外接电阻设定开关频率，典型 65kHz，内置频率抖动改善 EMI；最大占空比 50%；内置斜坡补偿、250ns 前沿消隐；轻载 / 空载进入绿色打嗝模式；保护包含 VCC 欠压 UVLO、VCC 过压 VOP、逐周期限流、过载打嗝、光耦开路保护；RT 引脚外接 NTC 实现外部过温保护；分 A/B 两个限流阈值版本；适合充电

周周记笔记

LTC7000高边NMOS驱动器测试与过流保护方法论面向对象：硬件工程师、硬件测试工程师、嵌入式联调工程师及电源开关初学者。资料来源：Analog Devices《LTC7000/LTC7000-1 Fast 150V Protected High Side NMOS Static Switch Driver》，Rev. F，30 页。目标：把数据手册中的高边驱动、过流阈值、FAULT/TIMER、自动重试、MOSFET SOA 和 PCB 布局要求，整理成可执行的选型与测试方法。边界：本文中的数据手册保证值、计算示例和项目参考标准分开说明。最终设计

半导体憨包

光伏组件级MLPE功率优化器DCDC：25年寿命+IP67+雷击，怎么设计才不“翻车“？先看数据：为什么MLPE是DCDC的"金矿"？典型MLPE功率优化器架构（单板输入，多板串联输出）：欧创芯核心战场：单通道DCDC优化器（100W以内）+ 通信电源DCDC + 保护器件（TVS）。

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EG2134 300V 三相独立半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicroEG2134 是屹晶微电子三相独立 N‑MOS 半桥栅极驱动芯片，无内置功率管，外接六路 N 沟道 MOS/IGBT；提供TSSOP‑20、QFN‑24两种封装；每路高端悬浮耐压300V；VCC 供电4.5‑20V，典型 12V；图腾柱输出拉电流 1.2A、灌电流 1.4A；HIN、LIN 全部高电平有效；每相独立硬件死区、桥臂互锁闭锁；需要外接自举二极管与自举电容；HIN/LIN 内置 240kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 1μA；最高支持 500kHz 开关频率；主要用于三相直流无刷 BL

电动自行车汽车工业系统电机驱动100V高压恒定导向芯片进口替代描述SC9901B可在5V至100V宽输入电压范围内工作。通过集成主MOSFET和同步MOSFET，SC9901B可提供高达1A的输出电流。

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8bit有符号数多路运算选择器设计指示信号select的不同，对输入信号a,b实现不同的运算。输入信号a,b为8bit有符号数，当select信号为0，输出a；当select信号为1，输出b；当select信号为2，输出a+b；当select信号为3，输出a-b.

EG1177｜SOP‑7 内置 100V‑NMOS 异步降压，20‑90V 高压恒压恒流小功率电源优选开发20‑90V 高压小功率非隔离 Buck 降压，需要内置功率 MOS、原生恒压恒流、无需环路补偿、精简 BOM 成本，屹晶微电子EG1177异步降压 DC‑DC 芯片，SOP‑7 贴片封装。片内集成100V 耐压 NMOS 功率管，支持 PWM/PFM 多模式控制，硬件实现恒压恒流输出，无需环路补偿电容，外围电路极简；适合控制器辅助电源、工业控制系统、电信电源、非隔离 LED 照明驱动等场景

FPGA学习笔记＜2＞Verilog输入二选一选择器，也叫 2 选 1 多路选择器，英文是 Multiplexer，简称 MUX。它有三个输入：