硬件工程

智者知已应修善业

【4060BD_5V应用电路图】2022-12-24缘由振荡器和分频器怎么连接啊-嵌入式-CSDN问答友友们，这两个部分要怎么联系起来啊，实在不会了，没有系统学过这部分知识，右边是振荡器，左边是秒脉冲产生电路，4060分频

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EG4318 / EG4319 / EG4320 铅酸电池三段式充电副边管理芯片｜屹晶 EGmicroEG4318/EG4319/EG4320 是屹晶AC‑DC 副边三段式铅酸电池充电管理芯片，SO‑8 / DIP‑8 封装，配合原边 PWM 控制器（EG1253、UC3842 等），通过光耦实现闭环控制；完整实现恒流 CC→恒压 CV→浮充 Float三段自动充电逻辑。VCC 供电3.5‑18V，静态电流典型 1.6mA；内部多路高精度基准源，内置 LED 指示灯驱动；VOUT 引脚仅灌电流输出，驱动光耦副边。

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EG1253 电流模式 PWM 控制器｜屹晶 EGmicroEG1253 是屹晶电流模式反激 / 正激通用 PWM 控制器，SOP‑8 / DIP‑8 封装，外置功率 MOS 管。VCC 工作 9.5‑28.2V；启动电流仅 6μA；RI 引脚外接电阻设定开关频率，典型 65kHz，内置频率抖动改善 EMI；最大占空比 50%；内置斜坡补偿、250ns 前沿消隐；轻载 / 空载进入绿色打嗝模式；保护包含 VCC 欠压 UVLO、VCC 过压 VOP、逐周期限流、过载打嗝、光耦开路保护；RT 引脚外接 NTC 实现外部过温保护；分 A/B 两个限流阈值版本；适合充电

周周记笔记

LTC7000高边NMOS驱动器测试与过流保护方法论面向对象：硬件工程师、硬件测试工程师、嵌入式联调工程师及电源开关初学者。资料来源：Analog Devices《LTC7000/LTC7000-1 Fast 150V Protected High Side NMOS Static Switch Driver》，Rev. F，30 页。目标：把数据手册中的高边驱动、过流阈值、FAULT/TIMER、自动重试、MOSFET SOA 和 PCB 布局要求，整理成可执行的选型与测试方法。边界：本文中的数据手册保证值、计算示例和项目参考标准分开说明。最终设计

半导体憨包

光伏组件级MLPE功率优化器DCDC：25年寿命+IP67+雷击，怎么设计才不“翻车“？先看数据：为什么MLPE是DCDC的"金矿"？典型MLPE功率优化器架构（单板输入，多板串联输出）：欧创芯核心战场：单通道DCDC优化器（100W以内）+ 通信电源DCDC + 保护器件（TVS）。

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EG2134 300V 三相独立半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicroEG2134 是屹晶微电子三相独立 N‑MOS 半桥栅极驱动芯片，无内置功率管，外接六路 N 沟道 MOS/IGBT；提供TSSOP‑20、QFN‑24两种封装；每路高端悬浮耐压300V；VCC 供电4.5‑20V，典型 12V；图腾柱输出拉电流 1.2A、灌电流 1.4A；HIN、LIN 全部高电平有效；每相独立硬件死区、桥臂互锁闭锁；需要外接自举二极管与自举电容；HIN/LIN 内置 240kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 1μA；最高支持 500kHz 开关频率；主要用于三相直流无刷 BL

电动自行车汽车工业系统电机驱动100V高压恒定导向芯片进口替代描述SC9901B可在5V至100V宽输入电压范围内工作。通过集成主MOSFET和同步MOSFET，SC9901B可提供高达1A的输出电流。

爱吃汽的小橘

8bit有符号数多路运算选择器设计指示信号select的不同，对输入信号a,b实现不同的运算。输入信号a,b为8bit有符号数，当select信号为0，输出a；当select信号为1，输出b；当select信号为2，输出a+b；当select信号为3，输出a-b.

EG1177｜SOP‑7 内置 100V‑NMOS 异步降压，20‑90V 高压恒压恒流小功率电源优选开发20‑90V 高压小功率非隔离 Buck 降压，需要内置功率 MOS、原生恒压恒流、无需环路补偿、精简 BOM 成本，屹晶微电子EG1177异步降压 DC‑DC 芯片，SOP‑7 贴片封装。片内集成100V 耐压 NMOS 功率管，支持 PWM/PFM 多模式控制，硬件实现恒压恒流输出，无需环路补偿电容，外围电路极简；适合控制器辅助电源、工业控制系统、电信电源、非隔离 LED 照明驱动等场景

FPGA学习笔记＜2＞Verilog输入二选一选择器，也叫 2 选 1 多路选择器，英文是 Multiplexer，简称 MUX。它有三个输入：

恒锐丰科技林技术员

EG2203：一款高性价比 600V 半桥驱动芯片一、芯片核心特性 EG2203 专门用于驱动 N 沟 MOS 管以及 IGBT，采用高端悬浮自举架构，最高可承受 600V 母线电压。芯片内部整合输入处理、欠压保护、电平位移、脉冲滤波、图腾柱输出驱动等完整模块，主要性能特点如下。芯片低端供电 VCC 工作区间为 10‑25V，能够兼容 3.3V、5V 两种常用的 MCU 逻辑输入电平。VCC 和高端悬浮电源 VB 两路都具备欠压保护功能，异常条件下可以自动关断驱动输出。驱动输出为图腾柱结构，拉电流 0.5A，灌电流可达 1.0A，足以直接驱动绝大多数

OSPI的时序OSPI的资料网上有很多。我想用问答的形式来记录学习过程。参考DS给的答案以及TI的“TDA4VM Processors”的手册。

连接世界的工程哲学从芯片到系统，互连技术贯穿于每一台电子设备之中，是现代科技不可或缺的神经网络。摘要：互连系统是电子科技的神经网络。连接器、线缆、线束以及相关装配技术，共同承担着电能、信号和数据的传输任务，将各个功能模块连接成为一个完整整体。没有可靠的互连，再先进的芯片也无法发挥价值；没有稳定的数据链路，再复杂的软件系统也无法正常运行。

Verilog 异步 FIFO 设计详解：格雷码跨时钟域与空满判断在数字系统设计中，跨时钟域（CDC，Clock Domain Crossing）是 FPGA 和 ASIC 开发中最容易出问题的环节之一。当两个时钟域之间需要传递数据时，如果直接使用寄存器打拍同步，只能解决单比特信号的亚稳态问题；对于多比特数据总线，则需要借助异步 FIFO 来安全地完成数据缓冲与传递。

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EG6288 220V 三相独立半桥栅极驱动芯片｜屹晶 EGmicroEG6288 是屹晶微电子三相独立半桥栅极驱动芯片，无内置功率 MOS，外接六路 N 沟道 MOS/IGBT；提供TSSOP‑20、QFN‑24两种封装；每相独立半桥，内置自举二极管，无需外接自举二极管；VB 悬浮耐压最高220V；VCC 供电5‑20V，典型 15V；图腾柱输出拉电流 1.8A、灌电流 2.3A；HIN、LIN 全部高电平有效；每相独立硬件死区、同桥臂互锁闭锁；VCC 与三路 VB 各自独立欠压保护；输入引脚内置 260kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 450μA；最高支持 5

FPGA学习笔记＜1＞FPGA的开发流程根据设计需求，明确系统功能与性能指标，确定设计目标与约束条件。明确功能、性能、接口、时钟复位、资源/功耗/成本约束。

ZU902 FMC194 可编程宽带信号源实测2.4 GHz 4 GHz 7 GHz 单音与 1.2 GHz 线性调频硬件基于北京科恒盛远科技有限公司研制的 ZU902 主板与 FMC194 子卡。我们在这套硬件上完成了 FPGA DDS 单音、DDR4 复数 IQ 文件回放、AD9166 片内 NCO 和上位机控制的联调，并用 RIGOL RSA6265 频谱仪记录了代表性结果：实数模式 2.4 GHz，复数 MIX 模式 4 GHz、7 GHz，以及中心 4.5 GHz、扫频覆盖约 1.2 GHz 的线性调频（LFM）输出。文末还补充了独立 2×

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EG1192H 零功耗使能集成上管非同步降压 DC‑DC｜屹晶 EGmicroEG1192H 是屹晶微电子集成高压上管 MOS 的非同步降压 Buck 芯片，ESOP‑8 封装；VIN 输入10‑120V，最大持续输出电流1.5A；片内集成高压上管 MOS，下管需外接肖特基续流二极管；固定 PWM 频率 110kHz；EN 引脚实现零功耗关断，待机电流≤10μA；VIA 引脚提供输入电压分压采样输出，用于按键开关机；FB 引脚内部 1.25V 基准，通过外部分压设置输出电压；内置逐周期限流、155℃过温 TSD、输出短路打嗝保护；适合电动车、平衡车、仪表、快充辅助电源、逆变器、工业

MOS 选型要点（八）：开通/关断过程与负载类型的关系《MOS 选型要点（一）：V (BR) DSS击穿耐压和漏极电流上限与工程计算》《MOS 选型要点（二）：导通电阻、漏源截止漏电流和栅极与源极之间的漏电流参数剖析》《MOS 选型要点（三）：脉冲漏极电流 IDM及限制因素》《MOS 选型要点（四）：阈值电压 VGS (th)、结电容与栅极电荷》《MOS 选型要点（五）：栅源电压VGS额定值、驱动条件、温度特性与 ESD 防护》《MOS 选型要点（六）：热阻定义与散热路径分析》《MOS 选型要点（七）：体二极管反向恢复危害、尖峰成因与优化措施》

MOS 选型要点（四）：阈值电压 VGS (th)、结电容与栅极电荷《MOS 选型要点（一）：V (BR) DSS击穿耐压和漏极电流上限与工程计算》《MOS 选型要点（二）：导通电阻、漏源截止漏电流和栅极与源极之间的漏电流参数剖析》《MOS 选型要点（三）：脉冲漏极电流 IDM及限制因素》《MOS 选型要点（四）：阈值电压 VGS (th)、结电容与栅极电荷》《MOS 选型要点（五）：栅源电压VGS额定值、驱动条件、温度特性与 ESD 防护》《MOS 选型要点（六）：热阻定义与散热路径分析》《MOS 选型要点（七）：体二极管反向恢复危害、尖峰成因与优化措施》