1、2.5英寸超大靶面，效率提升2.3 倍
随着 Chiplet、CoWoS、FOPLP 等先进封装向大尺寸发展，检测区域持续扩大。传统面阵相机视场覆盖不足，需要多次拍摄拼接，导致检测节拍下降并增加拼接误差，成为大尺寸封装AOI效率提升的关键限制。
Libra 27105采用28.08mm × 28.08mm超大感光区域，相比传统21MP（GSPRINT 4521）级大靶面工业相机，有效成像面积提升约 2.3倍，对比65MP （GMAX 3265 ）机型提升约 57%；单次拍摄视野覆盖更大，检测效率显著提升。
2、112fps@105MP，实现100亿级像素/秒高通量采集
随着半导体检测向自动化、智能化发展，缺陷分类、自动复判和精密量测需要更大规模、更高质量的图像数据输入，对相机的数据吞吐能力提出更高要求。
Libra 27105搭载100G CoF高速接口，在1.05亿像素全分辨率下，帧率高达112fps，数据吞吐量达到11,760 MP/s。相较典型65MP或21MP级工业相机，数据吞吐能力提升约2.5倍，为AI检测、缺陷复检及精密量测提供更高效的数据采集能力。
3、2.74 μm高密度像元，提升精细结构和微缺陷解析力
随着先进封装中微米级线路、凸点和互连结构不断增加，检测系统不仅需要覆盖更大区域，也需要保持足够的空间采样能力。
Libra 27105采用2.74 μm小像元设计，在2.5英寸级超大靶面下实现105MP高分辨率成像，在兼顾大视场与高通量的同时，为精细结构和微小缺陷解析提供更高的空间采样能力。
从容应对先进封装、混合键合与 PLP 的光学量测
成像底图的扩展直接改变上游光学量测与下游 AI 复检的工作模式，Libra 27105主要应用包括：
PLP 面板级封装：大面板基板翘曲量测、RDL 精细结构量测、 Bump 检测；白光干涉（WLI）等光学量测方法要求在单次扫描中覆盖更大区域，并保持微米级空间采样。
混合键合（Hybrid Bonding）：W2W 工艺 CMP 抛光后，Cu 焊盘表面须略低于 SiO₂ 表面 5--15 nm、表面粗糙度 < 0.5 nm，对晶圆表面平整度量测提出亚纳米级要求，需要采用 WLI 等光学量测方案，由高速大靶面相机对晶圆快速成像。