一、产品整体概述
两款为同源 SGT 分裂栅工艺 N 沟道功率 MOS 管，电气参数一致，仅封装不同。
- LR048N10SM3：TO‑220 直插封装，Rds (on) 典型 4.2mΩ，管装 50pcs
- LR046N10SM2：TO‑263 (D²PAK) 贴片封装，Rds (on) 典型 4.0mΩ，卷带 800pcs 额定耐压 Vds=100V；Tc=25℃连续电流 Id=130A；Tc=100℃降额至 85A；脉冲 IDM=480A；最大耗散功率 Pd=178W；具备优异 FOM（栅电荷 × 导通电阻）优值；适合电机驱动、同步整流 SR、DC‑DC 变换器。
二、关键电气参数
极限参数 (Tc=25℃)
表格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| VDS 漏源耐压 | 100V |
| VGS 栅源电压 | ±20V |
| 连续 Id (Tc=25℃) | 130A |
| 连续 Id (Tc=100℃) | 85A |
| 脉冲 IDM | 480A |
| 最大功耗 Pd | 178W |
| 单脉冲雪崩能量 EAS | 625mJ |
| 结温 / 储存温度 | ‑55~+150℃ |
| 结‑壳热阻 θJC | 0.72℃/W |
静态特性
- VGS (th) 栅极阈值：2.0‑4.0V，典型 3V
- Rds (on)@VGS=10V：TO‑220 典型 4.2mΩ；TO‑263 典型 4.0mΩ
- 跨导 gfs 典型 125S
动态参数
- 总栅电荷 Qg 典型 78nC；Qgs=23nC，Qgd=26nC
- Ciss=5377pF，Coss=3855pF，Crss=38pF
- 栅极内阻 Rg=0.8Ω
- t d(on)=14ns，tr=12ns；t d(off)=32ns，tf=11ns
体二极管参数
- 正向压降 VSD 最大 1.2V@Isd=50A
- 反向恢复 trr=61ns；反向恢复电荷 Qrr=550nC
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- SGT 分裂栅工艺，低 Rds (on)，FOM 综合性能优秀；
- 内置体二极管，可用于同步整流续流；支持 625mJ 单脉冲 UIS 雪崩耐受；
- TO‑220 带安装孔可加装散热器；TO‑263 贴片大焊盘，可 PCB 铜皮散热。
⚠️重要限制
- 高温下电流大幅降额：Tc=100℃仅 85A，工程不可直接按 130A 长期使用；
- VGS 最大 ±20V，栅极务必串联电阻，抑制振荡，防止栅极过压损坏；
- 体二极管 trr=61ns，高频硬开关场景要关注二极管反向恢复损耗；
- 雪崩仅支持单脉冲，不允许持续重复雪崩工况；
- TO‑263 贴片强烈依赖 PCB 大面积铜皮散热；TO‑220 必须外接散热器。
四、引脚定义（TO‑220 / TO‑263，引脚顺序一致）
表格
| 引脚 | 名称 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | G | 栅极，驱动信号输入 |
| 2 | S | 源极 |
| 3 | D | 漏极；底部金属焊盘与 D 极连通，用于散热 |
五、外围应用设计要点
- 栅极驱动：串联合适栅极电阻抑制振荡；VGS 建议驱动 10V，不超过 ±20V。
- 散热设计：TO‑220 必须配外部散热器；TO‑263 焊盘铺大面积铜皮，增加散热过孔；高温工况做电流降额。
- 体二极管：可做续流 / 同步整流，高频注意反向恢复带来的开关损耗。
- 雪崩应用：仅允许单脉冲雪崩，不能持续雪崩工作。
六、典型应用场景
电机驱动器、开关电源同步整流 SR、大功率 DC‑DC 变换、工业通用功率开关。