一、产品概述
EG11732 是大电流同步降压 DC‑DC 芯片 ，内置 30V 耐压、80A 规格高低侧 MOS，MOS 导通电阻典型 3mΩ，可持续输出 15A 电流。输入电压10‑30V ；RI 电阻设置 PWM 频率，DT 电阻设置死区时间；FB 基准 1.3V，通过分压电阻灵活配置输出电压。具备 EN 使能、SS 软启动；支持两种限流方案：内置功率管内阻限流 / 外接采样电阻限流；集成逐周期限流、输出短路锁存保护、155℃热关断；VDD 可输出 5.1V 辅助电源；封装QFN32。适用于 PD 快充、PC 电源、非隔离 DC‑DC、逆变器、工业控制系统。
二、关键电气参数（25℃）
- 输入电压：10‑30V，功率管耐压 30V
- 功率 MOS：80A 规格，Rds (on) 典型 3mΩ，持续输出 15A
- 输出基准：FB=1.3V；输出公式 (\boldsymbol{V_{OUT}=1.3\times(1+R1/R2)})
- 频率设置：(Fosc(KHz)=6150/RI(KΩ))
- 死区设置：(DT(nS)=5\times RT(KΩ))
- 限流：IS 引脚参考 0.19V，可选择内阻限流或外接采样电阻限流 (\boldsymbol{I_{peak}=0.19V/R_{S1}})
- VDD 辅助输出：5.1V，最大 5mA；EN 开启 2.35V，关闭 2.25V
- 保护：软启动、逐周期限流、短路锁存（需重新使能 / 上电恢复）、热关断 155℃
- 温度范围：‑45~125℃
三、关键引脚（QFN32）
- VP：高端 MOS 漏极，功率输入
- IS：过流检测，用于峰值限流配置
- VCC：低端驱动电源，建议 10‑15V；输入＞18V 需外部稳压供电
- VDD：5.1V 辅助电源输出
- EN：使能，高电平开启
- RI：频率设定电阻
- SS：软启动电容
- FB：反馈输入，1.3V 基准
- DT：死区时间设定电阻
- SW1：高端 MOS 源极；SW2：低端 MOS 漏极
- VB、VS：高端自举电源、悬浮地
- AGND、PGND：模拟地、功率地
四种典型应用：＜18V 内阻限流、＜18V 外接电阻限流、＞18V 内阻限流、＞18V 外接电阻限流；高于 18V 时需外接 EG78L12 给 VCC 供电。
四、外围与 PCB 设计要点
- VCC‑GND、VB‑VS 自举电容紧贴芯片引脚。
- VP、SW1、SW2、PGND 大电流路径必须短而宽，充分铺铜散热。
- FB 分压电阻靠近 FB 引脚，远离 SW 开关噪声。
- 电感、输出电容按手册公式选型，输出优先选用低 ESR 电容。
- 输入电压大于 18V，必须增加外部稳压给 VCC 供电。
- 短路保护触发后，需要重新 EN 使能或者重新上电才能解除锁存。
五、产品核心亮点
- 内置 30V 大电流 MOS 管，导通电阻仅 3mΩ，持续 15A 输出，10‑30V 输入，同步整流效率高。
- PWM 频率、死区时间外部电阻可编程；1.3V 基准，输出电压电阻自由设置。
- 两种限流方案可选：内阻限流（省采样电阻）、外部采样电阻限流；带软启动。
- 短路锁存保护、155℃热保护；＞18V 工况支持外部稳压供电；QFN32 大电流封装。
六、典型应用
PD 快充电源、PC 电源、非隔离 DC‑DC、逆变器系统、工业控制系统。
七、产品小结
EG11732 为 30V 大电流同步降压 DC‑DC，内置 80A 规格 MOS，持续 15A 输出；频率、死区、限流外部可配置，短路锁存 + 热关断保护，QFN32 封装；适合低压大电流快充、工业非隔离降压电源。