一、产品整体概述
SS6200 为单 PWM 输入半桥 N‑MOS 栅极驱动器，DFN2×2‑8L 超小封装，卷带 3000pcs / 盘；无内置功率 MOS，外接高低侧两颗 N‑MOS 组成半桥 / 同步 Buck 。VCC 供电 3.3‑5.5V；单路 PWM 输入，芯片内部自动生成互补驱动；内置自举二极管，省去外部自举二极管；自适应防直通（自适应非交叠死区）；支持最高 1MHz 高频；内置 VCC‑UVLO 欠压锁存、OTP 热关断；带 EN 使能引脚；适配 3.3V/5V MCU；用于 5‑20W 无线充电、半桥、同步降压变换器。
版本对比：区别传统双输入 HIN/LIN 半桥驱动；SS6200 为单 PWM 输入，内部生成互补信号，集成自举二极管，极小 DFN2×2‑8L 封装，VCC 仅 5V 等级，PHASE 开关节点耐压 24V，适合低压高频半桥。
二、五大核心差异化硬件优势
‑ 单路 PWM 输入，内部产生互补驱动，内置自举二极管 仅输入一路 PWM，芯片自动输出 UGATE 上管、LGATE 下管互补栅极信号；片内集成自举二极管，外部只需要自举电容 Cbst，减少外围器件；VCC 供电 3.3~5.5V。
‑ 自适应防直通（自适应非交叠死区） 实时监测 MOS 开关状态动态生成死区，避免上下管同时导通造成桥臂直通，降低开关损耗，适配高频 1MHz 工作。
‑ 完备内置保护
- VCC UVLO 欠压锁存：上升阈值典型 2.2V，迟滞 0.2V，电压不足关闭输出；
- OTP 热关断：170℃关断输出，降温 25℃回差自动恢复；
- EN 硬件使能引脚，可关断芯片进入待机，待机电流典型 1μA。
‑ 高频驱动性能 最高工作频率可达 1MHz；驱动导通 / 关断电阻典型 2.8Ω/0.9Ω，满足高频 MOS 栅极充放电；逻辑引脚兼容 3.3V、5V 单片机 IO。
‑ 超小型 DFN2×2‑8L 封装 尺寸仅 2×2mm，适合无线充、小型高密度电源，节省 PCB 面积。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 半桥高低侧栅极驱动，内置自举二极管，仅需外接自举电容；
- 单 PWM 输入，内部生成互补驱动；自适应防直通（自适应死区）；
- EN 硬件使能，低功耗待机模式；
- VCC 欠压 UVLO 保护、芯片过温 OTP 热关断；
- 支持最高 1MHz 高频工作，兼容 3.3V/5V 逻辑电平。
⚠️重要限制
- 仅栅极驱动，无内置 MOS，高低侧功率管全部外置；
- VCC 最大 6.5V，只能 5V 类驱动供电，不能直接用于 12‑24V 驱动电源系统；PHASE 开关节点最大耐压 24V；
- 单 PWM 架构，不能独立单独控制上管、下管；
- 无硬件过流保护，无故障 nFAULT 输出引脚，故障直接关断输出；
- BOOT‑PHASE 最大耐压 5.5V，自举电容耐压建议≥16V。
四、引脚功能定义（DFN2×2‑8L）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | BOOT | Power | 高端悬浮自举电源，接外部自举电容 Cbst，内部集成自举二极管 |
| 2 | PWM | I | PWM 控制输入，生成半桥互补驱动信号 |
| 3 | EN | I | 芯片使能控制引脚 |
| 4 | VCC | Power | 芯片逻辑与低侧驱动电源，3.3‑5.5V，就近接 1μF 旁路电容 |
| 5 | LGATE | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 6 | GND | GND | 芯片地 |
| 7 | PHASE | I/O | 半桥开关节点，接高侧 MOS 源极、低侧 MOS 漏极 |
| 8 | UGATE | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
逻辑真值表 |PWM|EN|UGATE|LGATE | 状态 | |---|---|---|---|---| |X|L|0|0|EN 关闭，全部输出关断 | |L|H|0|1 | 下管导通 | |H|H|1|0 | 上管导通 |
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 电源：VCC‑GND 就近放置 1μF 陶瓷旁路电容。
- 自举回路 ：BOOT‑PHASE 接 Cbst 自举电容（≥100nF，耐压≥16V），芯片内部已经集成自举二极管，不需要外接自举二极管。
- 栅极电阻：UGATE、LGATE 输出串联栅极电阻（典型 5.1Ω）靠近 MOS 栅极，抑制栅极振荡振铃。
- 功率器件：外接两颗 N‑MOS，PHASE 节点电压不能超过 24V。
- 逻辑输入：PWM、EN 引脚由 3.3V/5V MCU 驱动。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 旁路电容紧贴 VCC‑GND 引脚。
- 自举电容 Cbst 尽量缩短 BOOT 与 PHASE 走线，减小寄生电感。
- UGATE、LGATE 栅极走线尽量短；栅极电阻靠近 MOS 栅极，减小栅极环路。
- PHASE 为高速开关节点，远离 PWM、EN 逻辑信号线，防止噪声耦合误触发。
- GND 地回路尽量短，减小地弹噪声。
七、主流应用场景
5‑20W 无线充电发射端、低压半桥电路、同步 Buck 降压变换器。