SS6208L 12V 集成 MOS 半桥功率芯片|LeadPower 率能半导体

一、产品整体概述

SS6208L 是内置高低侧 N‑MOS 的集成半桥功率芯片,DFN3×3‑8L 微型封装,卷带 3000pcs / 盘 。VB 功率电源 3.3‑12V;VCC 逻辑 / 驱动供电 3.3‑5.5V;内置 MOS 持续电流 4A,峰值 8A;单路 PWM 输入,芯片内部生成互补驱动信号;内置 MOS 管、内置自举二极管;自适应防直通(自适应非交叠死区);EN 硬件使能引脚;内置 UVLO 欠压、OTP 热关断保护;最高工作频率 1MHz;适配 3.3V/5V MCU;应用于电子烟、无线充电发射端、低压半桥 / 同步 Buck 电路。

版本对比:与 SS6200 对比,SS6200 是纯驱动、外接 MOS;SS6208L 把高低侧 MOS 全部片内集成,为功率级器件,封装升级为 DFN3×3‑8L,支持更大电流。

二、五大核心差异化硬件优势

‑ 完整集成半桥功率 MOS,大电流能力 片内集成高侧 + 低侧 MOS,Rds (on) 典型 15mΩ;持续 4A、峰值 8A,无需外接功率 MOS,简化外围 BOM;VB 功率轨最高 12V。

‑ 单 PWM 输入 + 内置自举二极管 仅一路 PWM 信号输入,内部自动输出上下管互补驱动;芯片集成自举二极管,外部只需要自举电容 CBST,减少器件数量。

‑ 自适应防直通保护 实时监测开关状态动态生成死区,硬件避免上下管同时导通,降低开关损耗,支持最高 1MHz 高频工作。

‑ 多重内置保护,带 EN 使能低功耗待机

  1. VCC UVLO 欠压锁存:典型 2.2V 阈值,0.2V 迟滞;
  2. OTP 过温热关断:170℃关断,25℃回差自动恢复;
  3. EN 引脚低电平进入待机,待机静态电流典型 20μA。

‑ DFN3×3‑8L 超小封装 3mm×3mm 占板面积,适合电子烟、无线充等高密度小型设备。

三、内置功能与重要限制

✅内置功能

  1. 半桥高低侧功率 MOS 集成;内置自举二极管;
  2. 单 PWM 输入,内部生成互补驱动,自适应防直通死区;
  3. EN 硬件使能,低功耗待机模式;
  4. VCC 欠压 UVLO、芯片过温 OTP 热关断;
  5. 最高 1MHz 高频,PWM 兼容 3.3V/5V 逻辑电平。

⚠️重要限制

  1. 功率电源 VB 最大 12V,不能用于 12V 以上母线系统;
  2. 单 PWM 架构,不能独立分别控制上管、下管;
  3. PWM 最小关断时间 toFF (PWM)>500ns,占空比不可 100%,必须留出自举电容充电时间;
  4. EN 需要先使能,再输入 PWM,需要>10μs 启动延时;
  5. 无硬件过流保护;无 nFAULT 故障输出引脚,故障直接关断输出;
  6. SW 开关节点为高压高速节点,PCB 要注意隔离噪声。

四、引脚功能定义(DFN3×3‑8L)

表格

引脚号 引脚名 I/O 功能简述
1 PWM I PWM 控制输入,生成半桥互补驱动
2 EN I 芯片使能,低电平待机,高电平工作;内置 500kΩ 下拉
3 GND GND 逻辑地
4 VCC Power 逻辑与驱动电源 3.3‑5.5V,就近接旁路电容
5 PGND GND 功率地
6 SW I/O 半桥开关节点,接电感 / 负载
7 VB Power 半桥功率电源输入 3.3‑12V
8 BST Power 自举节点,接外部自举电容至 SW

逻辑真值表 |PWM|EN | 状态 | SW 输出 | |---|---|---|---| |X|L|EN 关闭待机 | 高阻 Z| |L|H | 下管导通 | L| |H|H | 上管导通 | H|

五、外围元器件标准化选型规范

  1. VCC 电源:VCC‑GND 就近放置 0.1μF 陶瓷旁路电容。
  2. 自举回路 :BST‑SW 接 CBST 自举电容(典型 100nF),芯片内置自举二极管,无需外接二极管。
  3. 功率电源 VB:VB 引脚并联大容量储能电容 + 0.1μF 陶瓷电容。
  4. 时序要求:EN 拉高后,等待≥10μs 再输出 PWM;PWM 低电平时间≥500ns,禁止 100% 占空比。
  5. 逻辑输入:PWM、EN 引脚由 3.3V/5V MCU 驱动。

六、PCB 布线硬性规范

  1. VCC 旁路电容紧贴 VCC‑GND 引脚;VB 电源电容紧靠 VB‑PGND。
  2. 自举电容 CBST 缩短 BST 与 SW 走线,减小寄生电感。
  3. SW 开关节点走线短,远离 PWM、EN 逻辑信号线,防止噪声耦合误触发。
  4. PGND 功率地与 GND 逻辑地单点汇合,降低地弹噪声。
  5. DFN3×3‑8L 焊盘做散热过孔,保障大电流散热。

七、主流应用场景

电子烟、5‑12V 无线充电发射端、低压半桥、同步 Buck 变换器。

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