一般要求 RCD 电容的钳位电压高于反射电压 Vor，可以用Vc = k * Vor （TI 的设计资料有采用 k=1.5，而 Fairchild AN-4147 给出过 k=2到2.5 的建议
这个Vc就是电容两端电压
这个时候MOSFET 的理论钳位电压约为：Vds,clamp = Vin + Vc
Vc确定了，接下来计算RCD的吸收功率：
R可以计算出来：
二极管就是要选择高于mos的额定漏源耐压，二极管电流通过
确定
通常rcd的二极管选用快恢复二极管，减少反向恢复造成的损耗和干扰（补充：反激副边小电压的时候使用肖特基二极管，正向压降低，因为损耗小，适合大电流的场合；电压再大就换超快恢复二极管或sic肖特基二极管）