光刻

光刻技术第12期 | 矢量OPC数值计算与分析201/简介由于实际光刻系统在成像过程中往往存在离焦和曝光量变化等工艺变化因素。为了扩大PW提高光刻系统对离焦和曝光量变化的稳定性选择合适的式子作为像质评价函数，进行仿真计算与分析。接下来给出针对BIM和AttPSM的优化仿真结果。

光刻技术第10期 | 矢量OPC的优化算法01/简介随着半导体技术节点向3nm及以下先进制程持续演进，光刻工艺中的光学邻近效应（OPE）、偏振依赖效应及三维掩模衍射等复杂现象愈发显著，传统基于标量近似的光学邻近修正（OPC）技术已难以满足纳米级图形复刻的精度要求。矢量成像模型凭借对光场偏振态、矢量传播及复杂界面相互作用的精准刻画，成为先进制程OPC技术的核心支撑，而矢量OPC优化算法的性能则直接决定了掩模修正的精度、效率及最终光刻良率，其技术突破已成为集成电路制造领域的关键研究课题。

半导体制造工艺（一）光刻在这里开个新专题，主要详细描述半导体制造整个流程中所用到的设备工艺步骤。在集成电路制造工艺中，光刻是决定集成器件集成度的核心工序，该工序的作用是将图形信息从掩模版（也称掩膜版）上保真传输、转印到半导体材料衬底上。光刻工艺的基本原理是利用涂敷在衬底表面的光刻胶的光化学反应作用，记录掩模版上的器件图形，从而实现将集成器件图形从设计转印到衬底的目的。

我是有底线的