功率半导体

weixin_4361824219 天前
gan·sic·功率半导体
功率半导体三大方向：2026 年 SiC、GaN、先进封装路线解析功率半导体市场正处在一个微妙的时间节点。一边是英飞凌、华润微、士兰微接连发布涨价函，AI数据中心和新能源汽车两大需求把产能拉满；另一边是技术路线正在发生肉眼可见的分化——SiC在800V高压平台站稳脚跟，GaN开始从“手机快充”向电车主驱和AI服务器电源渗透，先进封装从“后端工序”跃升为性能决定因素。
山风岚电源硬件21 天前
mosfet·功率半导体·sic碳化硅·gan氮化镓·器件基础
Si、SiC MOSFET和GaN HEMT的优缺点和区别先搞懂底层逻辑：材料决定了器件的性能天花板，在拆解具体器件前，必须先记住一个核心结论：三类 MOS 管的本质差异，是半导体衬底材料的差异；材料的固有物理特性，直接决定了器件的性能上限。
山风岚电源硬件21 天前
电力电子·开关电源·硬件设计·氮化镓·gan hemt·功率半导体
GaN HEMT基础全解析在电力电子领域，功率器件是电能变换的核心，直接决定了电源系统的效率、功率密度和可靠性。传统硅（Si）基 MOSFET 经过数十年发展，已逼近材料物理极限：开关速度受限、反向恢复损耗大、高温下特性劣化严重，难以满足当下快充、数据中心、新能源汽车、储能等场景对高频、高效、高功率密度的核心需求。
我是有底线的