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sramdram5 天前
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NETSOL串行SPI MRAM嵌入式非易失存储器应用优势串行SPI MRAM在绝大多数设计里，从来不是"存东西的地方"，而是那个必须在掉电瞬间保住数据、而且根本来不及做擦除的位置。SPI NOR Flash在部分场景能顶，但写前必须擦（毫秒级），掉电窗口内经常写不完，擦写寿命在10的五次方量级，频繁记录必须上磨损均衡加ECC，软件复杂度直接上一个台阶。EEPROM在低容量简易场景可行，但写周期5到10毫秒，耐久性10的六次方量级，同样扛不住高频记录。FRAM/FeRAM读写无延迟，中低容量可以用，但容量密度上不去、供应链高度集中，高温数据保持是需要重点评估的一
sramdram15 天前
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NETSOL MRAM国产存储替代ISSI SRAM电池备份架构方案ISSI的常规SRAM（23xx、62xx、71xx系列）是易失性的，本身不存数据。ISSI SRAM设备要在掉电瞬间保住关键参数、计数器、日志、配置字，靠的是「SRAM+电池备份」这套经典架构： -SRAM正常工作时由主电源（VCC）供电； -板上加一颗纽扣电池超级电容，加上电源切换电路； -主电源掉到阈值以下时，切换芯片把SRAM的VCC切到备用电池，电流进入µA级，数据靠电池维持5～10年。
sramdram16 天前
存储芯片·netsol·issi sram·netsol mram
NETSOL MRAM替代ISSI SRAM外扩存储芯片存储解决方案NETSOL STT-MRAM采用非易失性存储架构，读写完成即固化数据，不需要Vcap电容或Vbatt备用电池。NETSOL MRAM待机电流从毫安级压到微安级，对电池供电的采集设备来说续航差异相当明显。耐久性方面，写循环标称10¹⁴次，读取次数无限，数据在105°C下可保持10年。
EVERSPIN5 个月前
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低功耗片外扩展芯片Netsol异步sram与需要时钟信号同步操作的同步SRAM不同，异步SRAM没有时钟输入引脚（CLK），所有读写操作均由片选（CE）、写使能（WE）、输出使能（OE）等控制信号的电平变化直接触发。这种“随到随响应”的工作方式，避免了时钟抖动带来的时序不确定问题，也简化了MCU/FPGA的接口设计。
我是有底线的