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oscar999
10 天前
芯片·封装·tsv
TSV 与 3D 堆叠——垂直方向上的密度跃迁及其代价第11篇的结尾留下了一个判断:2.5D 的共同设计处理的是横向的约束耦合,芯片并排在中介层上,热和应力在平面内传递。但当互连密度需要进一步压缩、带宽需求越过凸点间距的物理极限时,封装必须从“横向铺开”转向“纵向叠起来”。
硅农深芯
3 个月前
tsv
TVS二极管关键参数及选型全解析在电子设备工作过程中,静电干扰、雷击浪涌、电源切换、负载突变等场景都会产生瞬时高压脉冲,这类瞬态电压峰值高、作用时间短,极易击穿芯片、烧毁精密元器件,是电路稳定性的主要隐患之一。TVS二极管(瞬态电压抑制二极管)作为专用的浪涌防护器件,凭借响应速度快、钳位精度高、耐冲击能力强的优势,被广泛应用于电源、信号、接口等各类电路的过压防护,是电子设备电磁兼容与可靠性设计的核心器件。本文将深度拆解TVS二极管的关键电气参数,梳理标准化选型流程与实战技巧,帮助工程师快速完成精准选型。
我是有底线的