存储

李兆龙的博客

从一到无穷大 #106：Nimble 文件格式——超宽表的元数据、编码与索引设计一张训练表可以只有 sample_id 和 features 几个顶层字段，features 这个 map 里却有上万个 key。从 SQL schema 看，它不宽；从特征投影、编码、元数据和磁盘读取看，它已经是一张超宽表。Nimble 最初面对的就是这类数据。

下一代 HBM 存储不再只是堆层数：iHBM、vHBM、zHBM 三大厂商三种技术路线之争AI芯片的性能瓶颈，正在从计算单元转向存储与计算之间的数据通路。GPU单卡晶体管规模持续扩大，矩阵运算的理论峰值不断提高，但大模型在推理阶段需要反复读取的键值缓存，其规模随上下文长度同步增长，数据能否及时供给，决定了计算单元的实际利用率。高带宽存储器HBM作为距离GPU最近的存储层级，其架构调整因此成为AI基础设施演进中最受关注的环节之一。

黑猫学长呀

存储芯片千问千答第11问：对于磨损类用例，waf越大的模型磨损的更快，还是waf更小的模型磨损的更快？文章为个人辛苦整理，付费内容，已加入原创侵权保护，禁止私自转载。文章所在专栏：《黑猫存储千问千答》文 / 黑猫学长

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从一到无穷大 #105：OpenAI Habitat II——多租户演进、全球读取优化与 CDC 平台上一篇《从 Habitat 看存储平台的整合与分工》，主要讨论 Habitat 如何从 Python SDK 演进成独立服务，以及这种位于业务和基础存储之间的平台，能接过多少重复建设。2026 年 10 月 23 日发布的 Part II 继续向下，展开 Azure Cosmos DB 的使用和运营。[1]

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从一到无穷大 #101：SSD 的工作原理——从 NAND 到数据库读写假设数据库要更新一个 4 KiB 的数据页。沿着代码往下看，是修改 buffer、写 WAL，再由刷脏线程把数据交给文件系统和块设备。到了 SSD 内部，逻辑地址的覆盖会变成地址转换、向空页写入新版本，以及稍后的数据搬迁。继续往下追，写入最终还涉及一个更底层的问题：怎样改变绝缘结构中保存的电荷，再把它读成数据。

闻缺陷则喜何志丹

vc入门宝典(九)集合类使用心得MFC提供集合类(Collect)专门负责数据对象的存储和管理,MFC的集合类分为三类,分别用于处理三类不同性质的数据结构:表(List,类似于数据结构的双链表),数组(Array)和映射(Map,具有类似字典的功能).

闻缺陷则喜何志丹

详细设计说明书的内容要求详细设计说明书的内容要求1，引言1。1编写目的1。2背景1。3定义1。4参考资料2,程序系统的组织结构

工作10年+，存储芯片行业

U.2 企业盘 × PCIe 4.0 / 5.0：主控与验证U.2（SFF-8639，2.5"）企业 NVMe 的验证对象不是「一块会跑分的 M.2」，而是热插拔 + 双端口 + 12V 供电 + 背板/线缆损耗 + PLP + NVMe-MI + 稳态 QoS + 固件生命周期。 PCIe 4.0 是当前 U.2 装机主力；PCIe 5.0 在 U.2 上能做，但连接器/背板并不是为 32 GT/s 生的，验证重心从 FTL 明显外移到链路与机箱。

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MySQL ORDER BY 排序优化：从 Using filesort 到索引有序扫描（含双路 / 单路排序原理）EXPLAIN 里出现 Using filesort 到底要不要优化？为什么明明建了索引还是不走？为什么有时候加了 LIMIT 就从全表扫变成走索引了？

工作10年+，存储芯片行业

企业级 SSD 性能评测：稳态、尾延迟与 fio 实测命令目录1. 测什么2. 判据、样本量、条件3. 测试前准备4. 公共参数5. 与负载无关的预处理6. 稳态预处理和正式测量

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企业级 SSD 耐久度评测（JESD218 / JESD219 + FIO）目录1. 关键概念与等级要求2. 测什么3. 测试条件负载（JESD219 Enterprise）温度

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HTOL 实战：原理、流程、场景与解析目录0. 先把术语钉死（实战协议封面）1. 原理：HTOL 到底在加速什么1.1 一句话1.2 失效物理（SSD 要拆开算）

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浮栅晶体管极性说明目录一、基础结构极性各区域极性与掺杂一览二、PN 结与沟道反型1. 两个 PN 结2. 沟道反型（Inversion）

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NVMe Surprise 掉链、控制器实例漂移与残留 I/O目录0. 文档用途与口径1. 现网拓扑（可定死）1.1 槽位 ↔ Root Port ↔ Endpoint ↔ 控制器实例

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SSD 端到端数据保护：PI 三件套深度解析目录一、背景：为什么需要端到端保护二、PI 三件套结构1. Guard（守卫字段，2 字节）2. Application Tag（应用标签，2 字节）

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存储芯片产业全景：从产品矩阵到技术优势与质量体系目录公司概况与核心能力1.1 发展历程1.2 资质荣誉2. 核心产品线2.1 选型案例3. 技术优势4. 应用领域

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长鑫存储深度分析：国产 DRAM 的崛起、挑战与未来长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，简称 CXMT）是中国领先的动态随机存取存储器（DRAM）制造商，总部位于安徽合肥。作为国产存储芯片的核心力量，长鑫的崛起对全球 DRAM 市场格局产生了深远影响。本文将从公司背景、技术路线、市场地位、竞争格局和未来挑战等维度，对长鑫进行全面分析。

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武汉新芯发展历程与产品体系全览目录1. 引言2. 发展历程2.1 起步与奠基（2006—2010）2.2 技术升级与产能扩张（2011—2016）

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长存科技：发展历程与产品体系全览文章目录长存科技（长江存储科技有限责任公司）成立于2016年7月，总部位于湖北武汉，是中国领先的存储器芯片设计与制造企业。公司专注于3D NAND闪存芯片的研发、生产和销售，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的存储解决方案。作为国家存储器基地的重要组成部分，长江存储承担着推动中国存储器产业自主发展的战略使命，其产品广泛应用于消费电子、数据中心、云计算、移动终端及工业控制等多个领域。

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SSD 行业国际新闻汇总：市场动态与技术进展目录1. 引言2. 市场动态2.1 供需格局：全球需求回暖，原厂减产效应显现2.2 价格走势：主流容量价格回升