科学研究

新兴材料中载流子迁移率的霍尔效应测量这篇文章是发表在《自然电子学》（Nature Electronics）2024年7月刊上的一篇评论文章，标题为“Reporting Hall effect measurements of charge carrier mobility in emerging materials”，作者是Vladimir Bruevich和Vitaly Podzorov。文章讨论了霍尔效应测量在确定新兴半导体材料电子性质方面的重要性，同时强调了在使用和分析这些测量时必须注意的问题。

【LAMMPS学习】八、基础知识(6.5)PyLammps 教程此部分描述了如何使用 LAMMPS 为用户和开发人员执行各种任务。术语表页面还列出了 MD 术语，以及相应 LAMMPS 手册页的链接。 LAMMPS 源代码分发的 examples 目录中包含的示例输入脚本以及示例脚本页面上突出显示的示例输入脚本还展示了如何设置和运行各种模拟。

【氮化镓】GaN 器件的高温运行《High Temperature Operation of E-Mode and D-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Recessed Gates》，由HANWOOL LEE, HOJOON RYU, JUNZHE KANG, 和 WENJUAN ZHU (IEEE高级会员) 四位作者共同撰写，发表在《IEEE Journal of the Electron Devices Society》上。文章主要研究了在高温环境下，增强型（E-mode）和耗尽型（D-mode）AlGa

【nature review】用于非易失性射频开关技术的新兴存储电子器件这篇文章是一篇关于非挥发性射频（RF）开关技术的综述文章，发表在《Nature Reviews Electrical Engineering》2024年1月的期刊上。文章详细介绍了新兴的基于记忆电子技术的RF开关技术，特别是在二维（2D）材料方面的进展。

【氮化镓】p-GaN HEMTs空穴陷阱低温冻结效应这篇文章是关于低温条件下p-GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）栅极漏电的研究。文章通过电容深能级瞬态谱（C-DLTS）测试和理论模型分析，探讨了空穴陷阱对栅极漏电电流的影响。以下是对文章的总结：

【氮化镓】一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管文章由韩国首尔弘益大学电子与电气工程学院的Dong-Guk Kim等人撰写，题为“P-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor with a threshold voltage of 6 V”，发表在IEEE Electron Device Letters上。文章提出了一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET），并详细描述了其结构、制造过程、测量结果和分析，最后总结了该结构的潜力和优

【软件】ERETCAD-Env：在轨空间环境3D动态仿真软件文章介绍了Extreme-environment Radiation Effect Technology Computer-Aided Design – Environment (ERETCAD-Env)软件，文章的介绍和展示了ERETCAD-Env软件的功能和特点，这是一款用于动态模拟在轨卫星所处空间环境的计算机辅助设计软件。强调了该软件在模拟多种空间环境（如中性大气、等离子体、辐射、地磁场和太阳电磁辐射）以及卫星运动状态方面的能力。通过提供多个模拟示例，文章展示了ERETCAD-Env在提高商业航天器

【氮化镓】GaN HEMT SEEs效应影响因素和机制研究背景：AlGaN/GaN HEMT因其在高电压、高温和高频率下的操作能力而受到关注，尤其在航空航天和汽车应用中，其辐射响应变得尤为重要。重离子辐射可能导致绝缘体失效，即单事件效应（SEEs）引起的栅介质击穿。

【LAMMPS学习】八、基础知识(3.8)计算扩散系数此部分描述了如何使用 LAMMPS 为用户和开发人员执行各种任务。术语表页面还列出了 MD 术语，以及相应 LAMMPS 手册页的链接。 LAMMPS 源代码分发的 examples 目录中包含的示例输入脚本以及示例脚本页面上突出显示的示例输入脚本还展示了如何设置和运行各种模拟。

【氮化镓】微波脉冲对GaN HEMT失效的影响本文是一篇关于高功率微波脉冲作用下GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）热电多物理场耦合失效的实验研究。文章由Xiangdong Li等人撰写，发表在2023年11月的《IEEE Transactions on Electron Devices》上。文章通过实验研究了在高功率微波脉冲应力下GaN HEMT的热电多物理场耦合失效现象，并提出了相应的测试和测量方法。

【LAMMPS学习】八、基础知识(2.2)类型标签此部分描述了如何使用 LAMMPS 为用户和开发人员执行各种任务。术语表页面还列出了 MD 术语，以及相应 LAMMPS 手册页的链接。 LAMMPS 源代码分发的 examples 目录中包含的示例输入脚本以及示例脚本页面上突出显示的示例输入脚本还展示了如何设置和运行各种模拟。

【无标题】本文研究了氮化镓（GaN）肖特基型p-栅高电子迁移率晶体管（GaN SP-HEMT）的栅极鲁棒性和可靠性，通过一种新的电路方法评估了在实际转换器中栅极电压（VGS）过冲波形的栅极电压应力。研究发现，栅极的单脉冲失效边界（动态栅极击穿电压，BVDYN）和开关寿命在硬开关（HSW）和漏源接地（DSG）条件下表现出显著差异，并且与温度和VGS峰值有关。研究结果为p-栅GaN HEMTs的栅极可靠性和鲁棒性提供了新的定性方法，并揭示了栅极退化行为背后的物理机制。

【氮化镓】镁激活退火对p-GaN迁移率和阈值电压的影响【Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability】

【LDLTS】拉普拉斯深能级瞬态光谱Laplace deep level transient spectroscopy（拉普拉斯深能级瞬态光谱，简称LDLTS）是一种用于分析和表征半导体材料中深层能级缺陷的技术。它是传统能级瞬态光谱（DLTS）方法的扩展和改进，特别适用于解决传统DLTS在分析具有相似发射时间常数的多个陷阱态时的分辨率限制问题。

【氮化镓】位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响本文献《Influence of dislocations on electron energy-loss spectra in gallium nitride》由C. J. Fall等人撰写，发表于2002年。研究团队通过第一性原理计算，探讨了位错对氮化镓（GaN）电子能量损失谱（EEL）的影响。研究发现，未装饰的全核心位错导致低损耗EEL光谱中低于块体起始能量的吸收。此外，边缘位错附近的氮原子的静电势变化显著，对核心损耗光谱的简单解释提出了质疑。研究还模拟了不同电荷状态下GaN边缘和螺旋位错的EEL光

【氮化镓】GaN器件中关态应力诱导的损伤定位这项研究通过低频1/f噪声测量方法，探究了在关态（OFF-state）应力作用下，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中由应力引起的损伤的定位。研究中结合了电致发光（EL）分析，以更准确地确定损伤的位置和性质。研究发现，除了栅极边缘击穿之外，随着时间的推移，还会在栅极下方以及可能扩展到栅极-漏极区域的高电场区域逐渐产生捕获态。1/f噪声行为表明，除了与栅极边缘击穿有关的缺陷外，应力诱导的缺陷产生也发生在AlGaN势垒中。这些缺陷主要位于栅极下方，但延伸到高场栅极-漏极区域，可能与场极板边缘有

【氮化镓】p-GaN栅极退化的温度和结构相关性

【LAMMPS学习】五、LAMMPS命令(１) LAMMPS 输入脚本本部分描述了 LAMMPS 输入脚本的格式以及其中的命令如何用于定义 LAMMPS 模拟。主要包括以下内容。

【LAMMPS学习】三、构建LAMMPS(5)可选的构建设置LAMMPS 可以通过多种可选设置来构建。每个小节都解释了如何使用 CMake 和 make 进行构建。

【LAMMPS学习】三、构建LAMMPS(10)从源构建 LAMMPS 时怎么节省磁盘空间LAMMPS 是一个大型软件项目，具有大量源文件、大量文档和大量示例文件。当通过从 GitHub 克隆 git 存储库来下载 LAMMPS 时，默认情况下还会下载自 2006 年 9 月以来的整个提交历史记录。编译 LAMMPS 会将已编译对象文件和库的存储要求添加到计数中。