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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
型号：50N65
品牌：ASEMI
封装：TO-247
连续漏极电流(Id)：50A
漏源电压(Vdss)：650V
功率(Pd)：388W
芯片个数：2
引脚数量：3
类型：插件、高压MOS管
特性：N沟道MOS管、高压MOS管
RDS(on)：60 mΩ
VGS：±30V
封装尺寸：如图
工作温度：-55°C~150°C
50N65特性：
50N65采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。.
50N65应用领域：
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
PWM应用
负载开关
电源管理
