RS485/CAN的隔离电路分析

RS485/CAN的隔离电路分析

客户对ESD的防护,要求的等级越来预高,电路防护设计等级也在提高,如下依据实际情况,分析电路动态变化。

一、ESD电路分析

差分总线悬空,隔离芯片的两个地,且两个地不连接在一起。分析ESD情况

如下图:电源端,总共有两条泄放路径

路径1:

电源中有干扰或者ESD能量辐射,供电电压不稳定,TVS泄放能量到PE地

路径2:

电源上叠加的能量泄放搭到信号PE地,由于信号的PE地和隔离地之间有压差,能量也会通过内部隔离栅等效电容Csio泄放到隔离地。

如上图:输出端

路径1:

1)ESD能量通过内部电路泄放到大地,但是如果泄放能量超过器件承受的极限,器件也会损坏。

路径2:

1)当ESD在差分总线端出现后,ESD能量通过端口差分引脚进入隔离芯片;

2)隔离芯片内部的通道之间(隔离栅)有等效电容Ciso,容值非常小,几pF左右,迅速被ESD能量充满,过多的ESD能量会迅速通过Csio电容泄放到地;

3)瞬态时,电容电压急剧变化,等效电容两侧的电压一旦超过耐压极限,极容易损坏隔离栅(隔离栅一般可承受的ESD电压为4KV)

4)ESD能量击穿后直接泄放到前级的PE信号地,结果就是打坏器件,且ESD不过关;

二、应对措施

措施1:差分信号线上增加TVS管

过多的能量通过TVS管泄放到大地,不必走内部电路,保护隔离芯片;

措施2:两个地之间增加RC并接电路;

小知识:

(1)TVS选型标准:

1)TVS的导通电压需要小于隔离芯片能够承受的最高电压;

2)TVS管的电容要取小些,特别是多个器件并接一起,且速率较高;

(2)RC取值标准:

1)隔离芯片的Csio=几pF,并接的电容需要取值远大于该容值,一般采用 1000pF;提供更小的泄放路径,泄放到地,且不走隔离芯片内部泄放过多的能量,保护隔离芯片。

2)为了防止静电电荷积累,在Cp电容两侧并接1个1MΩ电阻;ESD测试完后去除该电阻;雷击浪涌时因为电阻会提供路径,所以需要去掉电阻。

措施3:增加上下拉电阻

增加上下拉电阻,稳定引脚悬空时的高低电平,电路有一个稳定态,不容易受ESD/浪涌/干扰等影响;

措施4、增加共模电感、PTC、GDT、快恢复二极管

大能量泄放,可以通过GDT;小能量泄放,可以通过TVS;PTC阻碍浪涌;共模电感抑制状态变化;

措施5:使用专用防护等级高的芯片,一步到位

三、防护电路案例

以CAN总线为例,上图为完善的外围推荐电路:

1)GDT置于最前端,提供一级防护,当雷击、浪涌产生时,GDT瞬间达到低阻状态,为瞬时大电流提供泄放通道,将CAN_H、CAN_L间电压钳制在二十几伏范围内。实际取值可根据防护等级及器件成本综合考虑进行调整

2)R1 与 R2 建议选用 PTC,

3)D1~D6 建议选用快恢复二极管

精华解析:

阻容回路接地的必要性

在现场,很多客户会提到总线隔离之后为什么需要阻容接地呢?这里给大家简单描述一下:

1)电容:

从EMS(电磁抗扰度)角度说,这个电容是在假设PE良好连接大地的前提下,降低可能存在的影响(以大地电平为参考的高频干扰信号对电路的影响),是为了抑制电路和干扰源之间瞬态共模压差的。其实GND直连PE是最好的,但是,直连可能不可操作或者不安全。

从EMI(电磁干扰)角度说,如果有与PE相连的金属外壳,有这个高频路径,也能够避免高频信号辐射出来;

2)1M电阻:

这是对付ESD(静电放电)测试用的。因为这种用电容连接PE和GND的系统(浮地系统),在做ESD测试的时候,打入被测电路的电荷无处释放,会逐渐累积,抬升或降低GND相对PE的电平,累积到一定程度,超过了PE和电路之间的绝缘最薄弱处所能耐受的电压范围,GND和PE之间就会放电,几个纳秒间,在PCB上的产生数十到数百安培的电流,这足以让任何电路因EMP(电磁脉冲)宕机,或者是让PE与电路之间绝缘最薄弱处所在信号连接的器件损坏。但是有时候又不能直接连接PE和GND,那么就用一个1~2M的电阻去慢慢释放这个电荷,以消除二者间的压差。当然1~2M这个数值是根据ESD测试标准选择的,因为IEC61000里面规定最高的重复次数只有10次/秒,如果你搞个1000次/秒的非标ESD放电,那么1~2M的电阻我觉得是不能释放掉累积的电荷的。

参考链接1:【技术笔记】总线隔离后如何接地?-上篇 - 维科号

参考链接2:【技术笔记】总线隔离后如何接地?-下篇 - 维科号

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