DDR3脚位解析,class分类

SDQ{0-31}:数据信号,为输入/输出双向信号。

SA{0-15}:地址信号为输入信号。

SDQS{0-3}P/N:数据选通信号,数据可以通过DQS的上升沿与下降沿传输。在读模式时,DQS由存储器发给CPU,DQS与数据边沿对齐。在写模式时,DQS由CPU发给存储器,DQS与数据中间对齐。

SDQM{0-3}:数据掩码,为输入/输出双向信号,其方向与数据总线方向相同,高电平有效。

SBA{0-2}:BANK地址信号,为输入信号。

SWE:写使能信号,为输入信号,低电平有效。

SRAS:行地址选通信号。

SCAS:列地址选通信号。

SCS:片选信号,为输入信号,低电平有效。

SCKE:时钟使能。

VERF CA / VERF DQ:基准电压等于VDD电压的一半,VERF CA表示命令和地址部分的电路所需的基准电压,VERF DQ表示数据部分的电路所需的基准电压。

SODT:终结电阻用于提高信号的传输性能,类似终端电阻,可以降低干扰,改善信号传输波形。所谓的终结,就是让信号被电路的终端吸收掉,而不会在电路上形成反射,主要由一排终结电阻构成,可有效减少反射/信噪比,ODT就是将电阻移植到了芯片的内部。

VDD:主要给芯片内部地址/控制信号接口及主要控制逻辑电路提供电源。

VDDQ:主要给数据及锁存信号接口及逻辑电路提供电源。

VDLL:主要给内存芯片内部的DLL(延时锁相环电路)提供电源。DLL电路主要用于控制内存芯片数据输出(也就是写操作)时的数据信号和锁存信号的时序。同样,处于信号完整性和抗干扰的考虑,地线引脚也分成几类。

VSS:主要给芯片内部地址/控制信号接口及主要控制逻辑电路提供地回路连接。

VSSQ:主要给数据及锁存信号接口及逻辑电路提供地回路连接。

VSSDL:主要给内存芯片内部的DLL(延时锁相环电路)提供地回路。

Class类建立:

1:DQ{0-7},DM0,DQS0_N,DQS0_P;

2:DQ{8-15},DM1,DQS1_N,DQS1_P;

3:DQ{16-23},DM2,DQS2_N,DQS2_P;

4:DQ{24-31},DM3,DQS3_N,DQS3_P;

5:其他;

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