过压保护电路
输入电压使用电源（36V）或者typec（20V），需要过压保护电路处理输入再连接到CH224K，保证输入不高于最大获取电压20V
MOS管导通条件为栅源极有压差，一般为5-10V
三极管导通条件为基极电流大于0
电压保护电路，D2击穿电压22V，当PD输入时，
输入电压低于22V，D2截至，
D2截至，没有基极电流，Q2截至
R1和R2正常分压，
MOS管栅极电压低于源极电压，MOS管Q1导通
驱动负载（连接到诱骗芯片CH224K）
当36V电源输入时，高于22V击穿电压，D2击穿导通，钳制电压在22V左右，
此时Q2的发射极电压高于基极，存在由发射极流向基极的电流，导通，
MOS管栅极电压与电源电压持平，MOS管压差不满足阈值开启电压，截至
电流采样电路：
需求，ADC不超过3.3V，输入最大30V10A
使用3欧模拟10A电流，通过串联小电阻产生压降（注意电阻功耗需要满足设计要求，这里可以采用两个2512 20m欧并联）。
使用同向放大电路提高输出电压
Vout=Vi*(R1+R2)/R2
电压采样电路
同样可以使用同向放大电路
VORTN接地，VOPWR接正极。
使用运放构成降压电路
电压跟随器确保输出端电压稳定
DAC输出电路
使用电压跟随器用于驱动后置电路，加大电路驱动能力