国产高性能pSRAM选型指南:CSS6404LS-LI 64Mb QSPI伪静态存储器

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| ##### 一、芯片基础特性 1. 核心参数 * 容量 :64Mb(8M × 8bit) * 电压 :单电源供电 2.7-3.6V (兼容3.3V系统) * 接口 :Quad-SPI(QPI/SPI)同步模式 * 封装SOP-8L (150mil) (兼容主流贴装工艺) * 温度范围工业级 -40℃ ~ +85℃ (后缀-LI标识) 2. 性能亮点 | 工作模式 | 最高频率 | 电压条件 | |----------|--------|--------------| | 32字节回绕突发 | 133MHz | VDD=3.0V±10% | | 32字节回绕突发 | 109MHz | VDD=3.3V±10% | | 线性突发跨页操作 | 84MHz | 全电压范围 | 3. 功耗优势 * 待机电流 :250μA @85℃(350μA @105℃) * Halfsleep模式 :100μA @25℃(数据保持状态) * 动态电流 :≤7mA(50%总线切换率) *** ** * ** *** ##### 二、关键选型理由 1. 硬件设计简化 * 引脚精简 :仅需4个I/O(CLK/CE#/SIO[3:0])实现高速通信 * 免刷新设计 :集成自管理刷新机制(No DRAM Controller Needed) * 驱动强度 :默认50Ω LVCMOS输出,直驱微控制器IO 2. 国产化优势 * 厂商 :深圳市满度科技有限公司(Cascadeteq Inc) * 供应链 :支持Tape & Reel卷盘包装(后缀-LI含卷盘) * 交期可控 :本土生产保障供应稳定性 3. 可靠性保障 * 工业级温度 :-40℃~+85℃严苛环境适用 * 抗干扰设计 :内置电压传感器,支持软件复位(RESET命令) *** ** * ** *** ##### 三、典型应用场景便携设备 :智能手表、AR/VR眼镜(低功耗+小封装) ✅ IoT终端 :传感器数据缓存(自刷新维持数据) ✅ 工控系统 :高速数据采集缓冲(133MHz突发传输) *** ** * ** *** ##### 四、选型注意事项 1. 封装确认 * CSS6404LS-LI :SOP-8封装(适合手工焊接/维修) * 同系列 CSS6404LU-LI :USON-8L (3x2mm) 超小封装(空间受限场景) 2. 操作模式选择 * 跨页读取 :线性突发(Linear Burst)需≤84MHz * 高速模式 :32字节回绕突发(Wrap32)支持133MHz 3. 上电初始化 markdown VDD稳定 → CE#保持高电平150μs → 发送RESET命令(>50ns) → 进入正常工作 *** ** * ** *** ##### 五、型号参考 | 型号 | 温度范围 | 封装 | 频率 | |------------------|----------------|-----------|------------| | CSS6404LS-L | 0℃~+70℃ | SOP-8 | 84MHz | | CSS6404LU-LI | -40℃~+85℃ | USON-8L | 84MHz | | CSS6404LS-LI | -40℃~+85℃ | SOP-8 | 133MHz | > 提示 :完整数据手册下载:*附件:CSS6404L 64Mbit 3.3V QSPI pSRAM-MD-25.pdf |

CSS6404LS-LI 凭借3.3V兼容性、工业级可靠性、133MHz QSPI突发性能国产供应链优势,成为替代ISSI/AP Memory等进口pSRAM的理想选择。适用于对功耗、体积和成本敏感的嵌入式系统设计,建议优先用于工业控制、穿戴设备及物联网终端。

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