Comsol弯曲波导模式分析,有效折射率与损耗计算。
弯曲波导在集成光学里是个绕不开的话题,尤其是做硅光或者光子集成电路的朋友,谁还没被那该死的弯曲损耗折磨过呢?今天咱们就撸起袖子,用Comsol整一波弯曲波导的模式分析,顺便把有效折射率和损耗计算的门道摸清楚。
建模关键:弯曲结构怎么画才不翻车
先别急着怼公式,把几何模型搭对了是成功的一半。对于弯曲波导,建议直接上环形线段 或者贝塞尔曲线构建弯曲部分。这里有个骚操作------用参数化方程画弯曲波导核心层:
java
// COMSOL Java API示例
double R = 50e-6; // 弯曲半径50μm
double theta = 45; // 弯曲角度
model.geom("geom1").feature().create("c1", "Circle");
model.geom("geom1").feature("c1").set("r", R);
model.geom("geom1").feature("c1").set("pos", [R,0]);
model.geom("geom1").feature("c1").set("rot", theta);
这段代码创建了一个45度弯曲的圆弧结构。注意坐标系设置要选圆柱坐标,否则边界条件能让你怀疑人生。材料参数直接怼上硅(n=3.47)和二氧化硅包层(n=1.44),边界条件记得选完美匹配层(PML),不然辐射损耗算不准。
模式分析求解器的隐藏设置
在频域研究中找到模式分析求解器,这里有两个参数要重点关照:
- 搜索基准:建议先用直波导的有效折射率当初始值,比如填3.2(比硅低点)
- 模式数量:别贪多,先抓前三个模式看看电场分布
跑完仿真后,在结果里右键点"表格",输入emw.neff直接提取复数形式的有效折射率。这时候可能会发现neff的虚部是负值------别慌,这其实是Comsol的相位约定导致的,取绝对值就对了。
损耗计算的代码实战
拿到复折射率neff = nreal + i*nimag后,真正的戏肉来了。用这个公式把虚部转成dB/cm单位的损耗:
matlab
% MATLAB数据处理
lambda = 1550e-9; % 波长1.55μm
k0 = 2*pi/lambda;
alpha_per_cm = 20*log10(exp(1)) * abs(imag(neff)) * k0 * 100;
fprintf('弯曲损耗:%.2f dB/cm\n', alpha_per_cm);
重点解释下那个100:因为k0的单位是1/m,乘100是把结果从dB/m转成dB/cm。搞错这个量级的话,发文章被审稿人怼都是轻的。
网格剖分的玄学经验
看到计算结果震荡得比心电图还刺激?八成是网格没剖好。弯曲区域的网格要加密到能分辨倏逝波:
java
// 弯曲区域网格加密
model.mesh("mesh1").feature().create("ftet1", "FreeTet");
model.mesh("mesh1").feature("ftet1").set("hmax", lambda/10);
但别无脑加密!先跑个参数化扫描,找到网格尺寸对neff的影响曲线,选个结果收敛的尺寸就行。见过有人用1nm网格跑毫米级结构,结果电脑风扇转得比直升机还响...
避坑指南三则
- 发现损耗随弯曲半径减小反而降低?赶紧检查是否漏设PML,这是典型的边界反射假象
- 有效折射率实部比直波导还高?大概率是模式泄露到包层了,加粗波导核心试试
- 算出的Q值高得离谱(>1e6)?把材料损耗加进去,现实中没有理想无损材料
最后丢个冷知识:弯曲半径小到某个临界值时,损耗会突然飙升------这就是传说中的辐射损耗拐点。用参数扫描抓这个临界值特别有用:
matlab
% 批量处理不同半径的损耗
for R = linspace(5,50,10)*1e-6
model.param.set('R_bend', R);
model.study("std1").run;
neff = mphglobal(model, 'emw.neff');
% 保存数据并绘图...
end
搞完这一套,起码对弯曲波导的脾气摸清七八成了。下次再有人跟你扯弯曲损耗优化,直接把仿真结果和代码拍他脸上------数据说话,胜过玄学调参。
