ARM 汇编指令：STR

1. 核心定义

STR 是 Store Register 的缩写，意思是 将寄存器中的值存储（写入）到内存。它是 ARM 汇编中最基本、最常用的内存写入指令。

与它对应的是 LDR 指令，后者是从内存加载数据到寄存器。

2. 基本语法

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STR{<size>} <Rt>, [<Rn>, <operand2>]

{<size>} : 可选的后缀，指定操作的数据大小。默认为 32 位（字）。
- B - 字节（8位），如 STRB
- H - 半字（16位），如 STRH
- 无后缀 - 字（32位），如 STR
- 在 ARMv8 (AArch64) 中，还可以使用 W (32位) 或 X (64位) 寄存器来隐含大小。
<Rt> : 源寄存器，其值将被存储到内存。
[<Rn>, <operand2>] : 内存地址表达式。
- Rn: 基址寄存器，存放内存地址的基值。
- operand2: 地址偏移量，可以是立即数或另一个寄存器，有时还可以带移位。

3. 寻址模式（关键部分）

寻址模式决定了如何计算最终的内存地址。

a) 偏移模式

地址是基址寄存器加上一个偏移量。原基址寄存器的值不变。

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STR  R1, [R2, #12]   ; 内存地址 = R2 + 12，将 R1 的值存入此地址。R2 本身的值不变。

b) 前变址模式

先计算新地址 （基址+偏移），然后使用这个新地址进行存储。基址寄存器的值会被更新为这个新地址。

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STR  R1, [R2, #12]!  ; 注意感叹号 '!'
; 1. 计算新地址: R2_new = R2_old + 12
; 2. 将 R1 的值存储到 [R2_new] 指向的内存
; 3. 将 R2 寄存器的值更新为 R2_new

c) 后变址模式

先使用原基址寄存器的值作为地址 进行存储，然后再更新基址寄存器（加上偏移量）。

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STR  R1, [R2], #12   ; 偏移量写在括号外
; 1. 将 R1 的值存储到 [R2_old] 指向的内存
; 2. 更新 R2: R2_new = R2_old + 12

这种模式非常适合在存储后移动指针，例如遍历数组。

d) 寄存器偏移

偏移量可以来自另一个寄存器，并可选择移位操作。

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STR  R1, [R2, R3]         ; 地址 = R2 + R3
STR  R1, [R2, R3, LSL #2] ; 地址 = R2 + (R3 * 4)

4. 数据大小示例 (ARMv7/AArch32)

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STR    R0, [R1]       ; 将 R0 中的 32 位字（Word）存储到 R1 指向的地址
STRB   R0, [R1]       ; 只将 R0 的最低 8 位字节（Byte）存储到内存
STRH   R0, [R1]       ; 只将 R0 的最低 16 位半字（Halfword）存储到内存

5. AArch64 (ARMv8 64位) 中的变化

在 64 位架构下，语法和寄存器名称有更新：

通用寄存器是 X0-X30 (64位) 或 W0-W30 (32位)。
STR 的数据大小通常由寄存器宽度隐含，但也可用后缀指定。
偏移量范围通常更大。

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STR   X0, [X1, #8]    ; 将 64 位的 X0 存储到地址 X1+8
STR   W0, [X1, #4]    ; 将 32 位的 W0 存储到地址 X1+4
STRB  W0, [X1]        ; 将 W0 的低 8 位存储到地址 X1

6. 一个简单完整的示例

假设我们要将数组 array 的第一个元素（在内存中）设置为 100。

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.data
array: .word 0, 0, 0, 0   ; 定义一个包含4个字的数组，初始为0

.text
.global main
main:
    // 假设我们要将 array[0] 赋值为 100
    LDR   R0, =array       ; R0 获得数组的首地址（加载地址）
    MOV   R1, #100         ; R1 = 100，这是我们要存储的值
    STR   R1, [R0]         ; 关键指令：将 R1 的值（100）存储到 R0 指向的内存地址

    // 使用后变址模式存储 200 到 array[1]
    MOV   R1, #200
    STR   R1, [R0], #4     ; 存储到 [R0]，然后 R0 = R0 + 4（指向下一个字）

    // 此时 R0 指向 array[1] 的地址
    BX    LR               ; 返回

7. 要点总结

特性	说明
目的	将寄存器数据写入内存
对应指令	`LDR`（从内存读）
关键语法	`STR Rt, [Rn, #offset]`
寻址模式	偏移（基址不变）、前变址（先算地址并更新基址）、后变址（先存后更新基址）
数据大小	`STR`（字，32位），`STRH`（半字，16位），`STRB`（字节，8位）
应用场景	变量赋值、保存寄存器到栈（函数调用）、向内存填充数据、数据结构操作等

理解 STR 及其寻址模式是掌握 ARM 汇编内存操作的基础。它与 LDR 指令一起，构成了寄存器和内存之间数据交换的核心手段。