芯片做好bumping后保存条件和多久做进一步封装好点

晶圆通常应立即流转到下一工序，如必须存储，则建议在低湿的惰性气体（如氮气）环境中短期保存，并尽快完成后续封装。

以下是具体的保存条件、时间要求以及后续操作的关键点：

Bumping（特别是锡基焊料凸块）完成后，凸块金属表面容易氧化和受到污染 ，这会导致后续回流焊时发生润湿不良，严重影响键合强度和电连接可靠性。因此，若需短期存放，必须严格控制环境。

虽然公开的行业标准数据不多，但一份关于FCBGA工艺流程的参考资料明确指出，完成Bumping和CP测试的晶圆在出货前会储存在 "氮气柜" 中。这印证了业界通用做法：采用惰性气体环境（主要是氮气，N₂）来隔绝氧气和水汽，防止凸块表面氧化。

由于凸块材料和工艺各异，没有"一刀切"的规定，但你可以参考以下通用原则：

凸块类型	主要保存风险	建议保存条件	建议最长储存时间 (仅供参考)
锡基焊料凸块 (如SnAg, SnAgCu)	表面氧化导致焊接不良	氮气柜，湿度通常控制在<5% RH，常温或低温。	数周内，越快流转越好。
铜柱凸块 (Copper Pillar)	铜氧化，但通常有锡帽保护	干燥洁净环境，高要求下也可使用氮气柜。	相对锡球可稍长，但仍建议在1-2个月内流转。
金凸块 (Gold Bump)	化学性质稳定，主要防尘和物理损伤	干燥洁净的普通洁净室环境即可。	数月，稳定性最高。

核心原则 ：无论何种凸块，半导体制造都遵循及时生产 原则。不建议将已Bumping的晶圆作为长期库存，任何储存都会引入风险并占用资金。

在将带凸块的晶圆进行下一步封装（如倒装芯片键合）前，通常还需要一些关键处理：

晶圆减薄与切割：根据封装厚度要求，可能需要对晶圆背面进行研磨减薄，然后切割成单个芯片。
助焊剂涂覆与回流焊：在倒装键合时，需要在凸块上涂覆助焊剂以去除氧化层，然后通过精确的热回流工艺将凸块与基板焊盘焊接起来。若储存不当导致氧化严重，此步骤的良率会显著下降。
底部填充：焊接完成后，为了缓解芯片与基板之间的热应力，提高可靠性，通常需要在芯片底部填充专用的环氧树脂。

总结来说，操作重点如下：

针对锡银（SnAg，通常为Sn96.5Ag3.0Cu0.5等无铅焊料）凸块 ，其保存的核心目标是防止锡的氧化，这直接决定了后续封装的焊接质量。

由于SnAg焊料对氧化非常敏感，一旦表面形成较厚的氧化层，在后续回流焊时会导致润湿不良，造成虚焊、空洞等致命缺陷。

保存时间长短完全取决于保存条件的严格程度。下表概括了不同方案：

保存等级	保存条件	环境控制要求	建议保存时间	说明
理想标准	氮气（N₂）或真空环境	湿度 <5% RH，温度 20±5°C	< 4周	黄金标准。氮气柜是最佳选择，能最大限度抑制氧化，确保高良率。
合格可控	超低湿干燥柜	湿度 <10% RH，温度 20±5°C	< 2周	若无氮气柜，专用防潮柜是底线。需严格监控湿度。
风险方案	普通洁净室环境	湿度 ~40-60% RH，常温	< 72小时	仅适用于紧急、临时周转。风险极高，不推荐。氧化随时可能发生。

核心原则 ：生产规划上，应确保完成Bumping的晶圆立即（24小时内）进入下一工序。任何存储都是迫不得已的妥协。

保存后，进行封装前还需特别注意以下操作：

使用前检查与预处理
- 检查：流转前，建议用显微镜抽样检查凸块表面光泽。若颜色发暗、灰白，提示已氧化。
- 清洗：封装前通常需进行等离子清洗（如氩氢混合气体），以物理轰击去除氧化层和有机污染物，此步骤对已存储的晶圆至关重要。
- 助焊剂：必须使用活性匹配的助焊剂，并在涂覆后尽快完成贴装和回流。
回流焊参数

SnAg焊料熔点较高（约217-221°C），回流焊峰值温度需设定在240-250°C 范围，并保证足够的回流时间，以确保氧化层被充分破除并形成良好焊点。

立即流转：最优策略是调整生产计划，让晶圆Bumping后直接流向减薄、切割等后续工序，实现"零库存"生产。
创造条件存储 ：若必须存储，氮气柜是首选投资。其次是专用超低湿防潮柜。务必记录每批晶圆的入库时间，严格遵守"先进先出"原则。
验证与沟通 ：
- 在进行正式批量封装前，务必先做小批量验证，确认存储后的焊接良率。
- 最关键的依据是您的Bumping供应商或材料规格书，他们可能提供针对特定合金配方的更精确建议。

总结：对于锡银凸块，氧化是头号敌人 。请务必通过惰性/超干环境 和尽可能短的储存时间来控制风险。