高低边开关概念：
1、高边开关：开关连接在电源和负载之间，即开关在高电位那边。
2、底边开关：开关连接在GND和负载之间，即开关在低电位那边。
MOS管
本质上就是开关，分两种，Nmos和Pmos。
NMOS：正电压导通
PMOS：负电压导通
结论：【正负电压看G端】这个正电压和负电压，指的是GS端的电压。具体看G端电位，G高电位，GS电压就是正电压。反之G低电位，S高电位，那就是负电压。
记忆tips：通过NMOS和PMOS的名称记忆 ，N即为Negative，负的，负电压 。P即为Positive，正的，正电压 。这个N和P的描述，是描述S端电压 的。也就是说，NMOS，即S端负，G端正的时候导通，结合【正负电压看G端】的结论，就是--->NMOS正电压导通
二极管
二极管由P和N型半导体构成的，电流只允许从P型半导体流向N型半导体，电子运动方向是电流的反向，即电子从N型流向P。
所以二极管具备单向导电性，下图是一个反向偏置的二极管，它处于截止状态：
可以看到，黑色实心的就是电子，黑色圆圈就是空穴，空穴带正点，电子带负电。然后电源长条那端是正极，即电子是从短的那端流向长的。如下
这个P型半导体和N型半导体中间会形成一个PN结，因为P区是空穴多，N区是电子多，所以N区多出来的电子会往P区的空穴跃迁过去，最终达到电荷平衡，中间的平衡区就是PN结。电子从电源负极喷向P型半导体，相当于给P区补充电子，这时候N区的电子就没那么多机会过去了，所以截止了。
举个抽象的例子：
就好比PN结是个男女联谊舞会，N是男方，P是女方，本来男女数量一样多的，PN一碰到一起，男电子就会往女空穴处跃迁，可是刚准备跃迁，突然外援来了（电源接入），并且不断往女方队伍里输送男电子，那么男方肯定就会减少跃迁过去的机会和欲望，所以二极管反向截止。
这种载流子扩散导致的情况，会在PN结中形成内电场，如下图
其实就是相邻的自由电子全跑去P区，把最靠近N的那片填满了，N区最靠近P区那端剩下空穴，平衡后就生成一个内电场，这个内电场会阻碍多数载流子正向交流，即截止态。
这里就有一个很重要的概念 ，为了让多数载流子正向运动，就要克服这个内电场的阻碍 ，而克服这个内电场的电压是0.7V，这就是导通压降的由来。所以要让一个二极管导通，就得至少在二极管两端施加一个大于等于0.7V的电压来克服内电场从而实现正向导通。
这里还有一个结论，正偏时，外部电场和内部电场相反，多数载流子会导通跃迁。反偏时，外部电场方向和内部电场一致，即N区是正电，P区外是负电。这时候PN结就会变厚，电子从N区被吸走空穴越来越多，内部正电场变多，少数载流子反向流动会更容易，少数载流子指的是P区的电子和N区的空穴，即P流向N的电子，这种产生的反向电流叫做漏电流。
三极管
三极管的工作状态主要有三种：截止、放大和饱和
放大很复杂很少用，可以用到的时候再去研究，这里主要介绍截止和饱和，即开关特性。
三极管本质是通过控制基级B和发射极E的电压，来间接控制基级的少数载流子数量，进而来控制Ic的电流。Ic电流指的是流过集电结的电流。Ie就是经过发射结的电流。Ie控制Ic。还有一个Ib是指的被反偏电源从基级吸走的电子所产生的复合电流。这个Ib的大小收到基级厚度的影响
简单粗暴理解一下
把电流比作水流，如下图，BE的电流Ie是小水管，CE的电流Ic是大水管。
Ie的大小可以控制大水管的阀门，进而控制Ic的大小。
应用：
NPN型三极管开关电路
S1闭合，R1和Rbe两端压降5V，产生1mA的电流，Vb电压大约为0.6V，导通be，三极管完全打开，Vc电压为0，R2的压降为5V。
PNP型三极管开关电路
公式 IC=β·IB 的物理意义是：
由于晶体管基区制造得非常薄 ，使得发射区发射的载流子只有极小部分从基极流出（形成 IB），绝大部分都被集电极收集（形成 IC）。β 就是用来描述这种电流分配比例的一个参数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。