电气与电子工程师协会（IEEE）将商业化薄膜霍尔元件技术认定为IEEE里程碑。旭化成微电子（AKM）宣称，其自1983年起开展的薄膜霍尔元件商业化技术已获电气与电子工程师协会（IEEE）认定，荣膺IEEE里程碑这一殊荣。
IEEE里程碑计划意在表彰那些代表电气与电子工程领域突破性创新的历史性成就。要获此荣誉，相关技术的发展历程需至少跨越25年，并且该成就必须对社会和行业有着重大贡献。
AKM于1983年推出的HW系列产品，堪称利用薄膜霍尔元件的磁传感器成功实现大规模量产的重要里程碑，为该技术的演进以及在消费电子领域的广泛普及筑牢了根基。
早期的薄膜霍尔元件存在灵敏度欠佳、可靠性严重不足的问题，尤其是在热稳定性方面表现不佳。有鉴于此，AKM在两块铁氧体之间置入一层窄带隙化合物半导体锑化铟（InSb）的薄膜层，以此集中磁通量，显著提升检测灵敏度。随后，AKM采用了一种三层电极结构，实现了金丝键合，大幅增强了热稳定性以及大规模生产所必需的耐用性。
这些创新举措推动了此类器件的全面产业化。截至目前，基于此项技术的霍尔传感器产品在全球的出货量已逾500亿颗。
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