公司斩获1200V订单，标志着全面碳化硅业务的启幕。SK keyfoundry作为韩国一家8英寸纯代工工厂，近期圆满完成了其碳化硅平面MOSFET工艺平台的研发。
该公司披露，已从一位新客户处获得开发1200V碳化硅MOSFET产品的订单，这一举措标志着其正式全面进军碳化硅化合物半导体代工领域。
SK keyfoundry推出的新型碳化硅平面MOSFET工艺平台，可支持450V至2300V的宽泛电压区间。公司宣称，通过在高电压运行环境中获取高可靠性与稳定性数据，充分彰显了该平台的卓越性能。此外，借助整体工艺的优化以及对核心工艺的精准把控，公司表示已将良品率提升至90%以上，同时提高了生产效率。
SK keyfoundry还表示，将提供差异化的"定制工艺支持服务"，能够依据特定客户的需求对电气特性和规格进行精细调整。这位订购1200V高压产品的客户专注于碳化硅设计，且已启动相关开发工作。该工艺将应用于客户的工业设备，在热效率管理方面发挥关键作用。
在完成原型评估和可靠性验证之后，公司计划于2027年上半年开启全面大规模生产。
这一碳化硅平面MOSFET工艺平台的研发，是SK keyfoundry收购专注于碳化硅的公司SK powertech后，整合两家公司核心能力所取得的首个成果。
SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示："这一碳化硅平面MOSFET工艺平台的研发成果，充分证明了SK keyfoundry在全球化合物半导体市场已确立独立的技术领先地位。我们将依托具备高良品率和可靠性的差异化工艺，持续拓展高压功率半导体解决方案，以满足国内外客户的需求。"
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