SS8550 NPN 封装：SOT-23
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BASE; 2. EMITTER; 3. COLLECTOR
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基极（B）；2. 发射极（E）；3. 集电极（C）
最大额定值
VCBO ：集电极-基极电压， 集电极与基极之间能承受的最大电压40V
VCEO ：集电极-发射极电压， 集电极与发射极之间的最大耐压25V
VEBO ：发射极-基极电压， 发射极与基极之间能承受的最大电压5V
IC **：集电极电流，**三极管集电极能承受的最大电流1.5A
PC: 集电极功耗， 集电极允许的最大功率300mW，当环境温度超过25℃时，三极管的耗散功率随着环境温度升高而降低。
RθJA: 结到空气环境的热阻 417℃/W**。**表示功率每上升1W，温度上升的摄氏度数。
T_J, T_stg ：工作结温和储存温度范围 工作时结温不可超过 150℃，否则会导致器件参数漂移。
补充： Ptot:（total power dissipation） ：总功耗，器件能够承受的最大功率，主要还是集电极功耗 PC， 基极功耗远小于集电极功耗。
电气参数：
截止特性
V(BR)CBO ：集电极-基极击穿电压， 集电极与基极之间能够承受的最大电压40V
V(BR)CEO ：集电极-发射极击穿电压， 集电极与发射极之间的最大耐压值25V
V(BR)EBO ：发射极-基极击穿电压， 发射极与基极之间能承受的最大电压5V。
ICBO **：集电极截止电流，**集电极与基极之间的漏电流，0.1μA
ICEO **：集电极截止电流，**集电极与发射极之间的漏电流，0.1μA
IEBO **：发射极截止电流 ，**发射极与基极之间的漏电流，0.1μA
开启特性
hFE ：增益系数， 三极管在特定工作条件下的电流放大倍数，其实就是放大倍数β，hFE = IC/IB ，HFE的变化是跟随IC变化的。反映基极电流对集电极电流的控制能力。电流增益越大，小信号放大能力越强。会随温度升高增大。
测试条件:
hFE(1): V_CE=1V, I_C=100mA，最小值120，最大值400
hFE(2): V_CE=1V, I_C=800mA，最小值40
VCE(sat) ：集电极-发射极饱和电压， 三极管在饱和状态下集电极与发射极之间的电压降，最大额定值0.5V，（三极管作开关时，理想开关为 0V，实际越小越好）
VBE(sat) **：基极-发射极饱和电压，**三极管在饱和状态下基极与发射极之间的电压降，最大额定值1.2V
小信号特性
fT ：特征频率， 指三极管的电流放大倍数β下降到 1 时的工作频率，最小100MHz。特征频率越高，三极管对高频信号的放大或开关响应能力越强。
补充：
Cob(collector out capacitance):集电极电容,输出电容
Cib(base input capacitance)：基极电容，输入电容 。三极管由于内部有PN结，因此存在结电容
RCE（sat）(collector-emitter saturation resistance):集电极和发射机饱和电阻，三极管进入饱和导通状态时，集电极（C）与发射极（E）之间的等效串联电阻。电阻越小，导通损耗越低。
开关特性
ton = td + tr称为开通时 toff= ts+ tf称为关闭时间 ts 最大，对开关速度要求很高，建议还是一开始就选ts小的管子。
延时时间Td：主要是对发射结和集电结势垒电容充电所需要的时间；
上升时间Tr：从截止达到临界饱和需要的时间；
保持时间Ts：从饱和导通状态 退出到临界饱和状态 所需要的时间
下降时间Tf：从临界饱和退出到截止的时间。
直流增益分级 L H J
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IC 和VCE的关系 VCE 增大，IC增大 IB 增大，IC增大 | 
IC 和hPE的关系 IC 增大，hPE减小 温度升高，hPE增大 |
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| 三极管最重要的两个作用：放大、开关（工作截止区和饱和区）。 NPN 三极管 /PNP 三极管 电压： 击穿电压： VCBO：集电极-基极击穿电压，VCEO：集电极-发射极击穿电压（要高于实际2倍）， VEBO：发射极-基极反向击穿电压。必须确保其击穿电压高于电路中的最大工作电压。 电流： 集电极最大允许电流IC **极间反向饱和电流：**极之间漏电流。 功率参数 决定了器件的散热能力，当温度升至 70℃时，允许功耗可能降至标称值的50%。 直流电流增益（hEF或β）： 放大倍数，表示基极电流变化引起的集电极电流变化倍数。常规型号的 hFE 范围在20-1000之间。一般开关电路需要hFE≥50 以保证饱和导通。 饱和电压： 集电极-发射极之间的饱和电压，基极与发射极之间在饱和状态下的最小导通电压。VCE(sat)越小，三极管的导通电阻越小，开关速度越快，功耗也越低。 **特征频率（Transition frequency）：**是三极管能够稳定工作的最高频率。这部分一般涉及到的是三极管的小信号特性。选型时fT需为电路工作频率的3-5 倍。 |