1.3 SiC MOSFET动态特性
1.3.1 结电容
SiC MOSFET 的栅极依托薄层氧化硅实现绝缘隔离，因此器件内部天然存在栅源、栅漏、漏源三类寄生结电容，依次为栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd和漏源电容Cds。
工程应用中为便于分析，通常定义输入电容Ciss、输出电容Coss、反馈电容Crss三个等效参数，对应关系如下：
Ciss= Cgd+ Cgs
Coss= Cgd+ Cds
Crss= Cgd
其中，输入电容Ciss决定器件开通速度，同时会增大驱动损耗；输出电容Coss影响关断过程，易引发电路谐振问题；反馈电容Crss即密勒电容，对开通、关断特性均有显著影响。受密勒平台效应作用，Crss会大幅制约整体开关速度，且开关瞬态产生的电压正反馈，极易诱发电路自激振荡。
1.3.2 栅极电荷
在SiC MOSFET的开关过程中，一定量的电荷将注入或抽离输入电容。栅极电荷在开关过程中的特性曲线如下图所示：
0~t₁阶段的栅极电荷为阈值前栅电荷QGS1，此阶段栅源电压VGS尚未达到阈值电压VTH；t₁~t₂阶段为阈值后栅电荷QGS2，此时VGS已超过阈值电压，但未上升至密勒平台电压VGP；t₂~t₃阶段为栅漏电荷QGD，对应VGS维持密勒平台的工作区间。
上述各阶段电荷之和，即为器件的总栅电荷QG。
结合IDS与VDS变化曲线可知：开关损耗主要集中在器件同时承受高漏源电压与大漏极电流的区间，对应t ₁~t ₃时段，该区间内的累积栅电荷，定义为开关电荷QSW。
1.3.3 体二极管反向恢复
体二极管反向恢复，是指其由正向导通切换至反向截止的动态过程。在电力电子电路中，SiC MOSFET 的体二极管常承担续流作用，因此反向恢复特性是衡量器件动态性能的关键指标。
下图为 SiC MOSFET 体二极管的反向恢复特性曲线：t0时刻之前，漏源电压反向偏置，体二极管PN结正向导通，回路流过正向电流IF；t0～t1阶段，漏源电压转为正向，体二极管开始关断，正向电流逐步衰减至零；t1～t2区间，反向恢复电流IR持续增大，漂移区逐渐形成耗尽层；t2时刻，N 型漂移区内少数载流子完全被抽取，反向电流达到峰值；t2～t3阶段，反向电流逐步回落至零，体二极管完成反向恢复全过程。
