TXS0104 和 TXB0104 的 IO 驱动电流对比
核心结论
这两款芯片的 DC 驱动能力都极弱，不适合带任何电流负载。
TXB0104
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 绝对最大连续输出电流 (极限值，超了就烧) | ±50 mA |
| 实际 DC 驱动能力 (VOH/VOL 测试条件) | IOH = --20 µA, IOL = +20 µA |
| One-shot 瞬态驱动 (边沿加速，持续约 10ns) | 输出阻抗 40~70Ω（等效峰值约几十 mA），未在手册中明确标注 |
TXB0104 内部有一个弱 buffer 串联 4 kΩ 电阻 连接到 IO。20 µA 的 DC 驱动就是这个 4 kΩ 电阻决定的------任何外部负载都会和它形成分压。
TI 明确要求 ：TXB0104 IO 上如果外接上下拉电阻，阻值必须 ≥ 50 kΩ，否则会破坏输出逻辑电平。
TXS0104
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 绝对最大连续输出电流 (极限值，超了就烧) | ±50 mA |
| 实际 DC 驱动能力 | 靠内部 10 kΩ 上拉电阻 提供高电平电流（3.3V 时约 330 µA） |
| One-shot 瞬态驱动 (上升沿加速，持续约 30ns) | TI 未明确标注 峰值电流，仅保证能驱动 ≤ 70 pF 负载 |
TXS0104 是 pass-gate 架构，内部没有主动驱动的 buffer。IO 通过一个 pass 开关连接 A/B 两侧，每侧各有一个 10 kΩ 上拉到各自的 VCC。所以它高电平的驱动电流完全由这个 10 kΩ 决定。
TI E2E 论坛上官方确认：one-shot 峰值电流没有 datasheet 参数，设计时按负载 ≤ 70 pF 使用即可。
对比总结
| TXB0104 | TXS0104 | |
|---|---|---|
| 极限值（烧毁阈值） | ±50 mA | ±50 mA |
| 实际 DC 驱动 | ±20 µA | 靠 10K 上拉，约几百 µA |
| One-shot 瞬态峰值 | 数十 mA（10ns 脉宽） | 未标注（30ns 脉宽） |
| 能带 LED 吗？ | 不能 | 不能 |
| 能驱动长线/连接器吗？ | 不能（≤ 70pF） | 不能（≤ 70pF） |
| 外接上下拉电阻 | 必须 ≥ 50 kΩ | 可以和内部 10K 并联 |
关键要点
±50 mA 是绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings），是损坏阈值，不是工作参数。 这两款芯片设计的负载就是 高阻抗 CMOS 输入 + 最多 70 pF 容性负载，任何需要实际电流的场合（LED、长走线、连接器、外接上下拉小于 50k 等）都不能直接用它们驱动。
如果确实需要带载能力，TI 推荐用 SN74LVC 系列定向转换器 或 TXU 系列，这些有真正的几 mA 级 DC 驱动能力。
架构差异
| 特性 | TXB0104 | TXS0104 |
|---|---|---|
| 架构 | Buffered 推挽 | Pass-gate + 上拉 |
| 内部串联电阻 | 4 kΩ | 无（pass 开关） |
| 内部上拉 | 无 | 10 kΩ 到各自 VCC |
| One-shot 边沿 | 上升沿 + 下降沿 | 仅上升沿 |
| One-shot 持续时间 | ~10 ns | ~30 ns |
| 最高推挽速率 | 100 Mbps | 24 Mbps |
| 支持开漏 (I²C 等) | 不支持 | 支持 |
| VCCA 范围 | 1.2--3.6 V | 1.65--3.6 V |
| VCCB 范围 | 1.65--5.5 V | 2.3--5.5 V |