开关电源变压器必测参数（分绕组、电气、磁芯、绕制四类）
一、直流参数（万用表直接测）
各绕组直流电阻 Rdc
原边、副边多路绕组、辅助供电绕组分别测；判断断线、匝间短路、线径是否达标。
绕组通断：有无开路。
验收标准
| 绕组 | 公差标准 | 说明 |
|---|---|---|
| 原边 NP | ±8% | 线径、绕圈匝数不良超差拒收，偏大铜损高烧 |
| 副边 NS / 辅助 NA | ±10% | 多绕组分压，阻值悬殊大概率断线 / 少绕 |
二、电感 & 磁参数（LCR 电桥 / 电感表，高频优先 10kHz/100kHz）
原边空载电感 Lp（AL 值）（副边全部开路情况测量）：决定励磁电感、占空比、空载损耗。
副边各绕组电感 Ls
漏感 Lk（原边短路副边测）：关键参数，影响尖峰电压、RCD 吸收、EMI。
测试：副边全部短接，测原边电感即为原边漏感。
变比 Np:Ns：
开路法：交流低压输入原边，测各副边空载电压，电压比 = 匝数比。
1. 原边励磁电感 Lp验收标准
- 小功率＜24W：±7%
- 24W～120W：±5%
- ＞120W 工业反激：±3%
Lp 偏大→空载电流大、铁损高；偏小→峰值电流超标、MOS 过流
2. 原边漏感 Llk（副边 + 辅助全部短接，测原边）【反激重中之重】
普通绕法（无三明治绕制）：Llk ≤ Lp ×3%～5%
三明治分段绕制：Llk ≤ Lp ×1.5%～2.5%
超标后果：MOS 尖峰过高、RCD 发热炸裂、EMI 变差
3. 变比 Np:Ns（低压 AC 3～5V 工频加原边，空载测副边电压）
电压比 = 匝数比，公差 ±1.5%～±2%
变比偏差→满载输出电压偏高 / 偏低，稳压环路超调
三、绝缘耐压 & 安规（耐压测试仪）
匝间耐压（匝间冲击仪）：测层间、匝间隐性短路（低压直流测不出微短路）。
绕组间耐压（原↔副、原↔辅助）：AC 1500V/2000V 常规，安规核心。
绕组对磁芯耐压：绕组与铁芯之间绝缘。
绝缘电阻 MΩ（兆欧表 500V）：潮湿、破皮不良检出。
绕组间耐压不达标问题
一、上电直接故障（出厂测试 / 整机老化立马出问题）
高压击穿打火、炸机
AC 输入 85~264V，原边峰值电压：反激关断尖峰 + 反射电压，通常600V～900V；耐压不足时原副边绝缘击穿，交流窜到副边：
低压侧芯片（PWM、MCU）、电解、接口器件瞬间过压烧毁；
保险、MOSFET 炸坏，整机短路跳闸。
漏电流超标，电源反复保护。绝缘微弱漏电，Y 电容、X 电容回路漏电变大，EMI 异常，电源输入漏电保护跳机、间歇重启。
二、长期使用隐性隐患（量产最头疼）
湿热环境绝缘加速劣化→间歇性坏机
潮湿、结露、高温环境，绝缘耐压进一步下降，出现偶发击穿：常温好、雨天 / 高温坏，售后返修极高。
副边窜高压伤人（安全事故）
原边市电通过绝缘缺陷窜到输出低压端子，输出接口带电，触电风险，过安规必不合格。
EMC 整改失败
绕组间局部爬电不足、绝缘差，原副边耦合杂散电容变大，传导骚扰超标，过不了 EMC 认证。
四、高频寄生参数（LCR 高频档）
绕组分布电容 C：影响谐振、高频损耗、EMC。
品质因数 Q 值：反映绕制工艺、铁芯损耗。
五、尺寸与物理参数（卡尺）
磁芯规格：EE/EF/EI/PC 尺寸（磁芯中柱截面积 Ae）、气隙厚度 δ（有气隙变压器必测，决定 AL、电感）。
骨架尺寸、引脚间距、出线方向、绕线层数。
六、带载实测（上机满载老化）
温升测试：满载额定功率下线圈 / 磁芯温升（一般≤40~60K）。
空载损耗、满载铜损 + 铁损。
空载、满载输出电压精度（验证变比）。