TVS二极管的VBR会随结温变化，因为雪崩击穿由半导体结区的载流子碰撞过程决定，温度改变后，达到稳定雪崩所需的电场也会变化。多数雪崩型TVS在常用工作区呈正温度系数，也就是结温越高，VBR往往越高；但具体变化幅度必须看该型号的数据手册或曲线，不能套用一个通用百分比。
选型时真正要守住的是两端窗口：低温、最高正常电压下不能误导通；高温、规定浪涌电流下的残压又不能超过后级可承受范围。只拿25℃的VBR中间值判断，容易漏掉这两个极端。
VBR、VRWM和VC分别管什么
VRWM是反向工作峰值电压，表示器件在规定条件下应保持截止的电压范围。VBR是规定测试电流下进入击穿区的电压。VC则是在指定脉冲电流和波形下测得或规定的钳位电压。
这三个参数不能互换使用：
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VRWM用于检查正常工作、充电波动和允许持续过压会不会让TVS长期导通。
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VBR用于定义从截止区进入雪崩区的边界，并体现批次公差与温度漂移。
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VC用于核对浪涌发生时后级真正可能看到的残压，必须连同IPP和脉冲波形阅读。
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IR用于检查高温和接近VRWM时的漏电是否会影响待机功耗或节点偏置。
高温下VBR抬高，并不代表保护更安全。它可能让TVS更晚进入雪崩，使后级瞬态电压升高；同时漏电又常随温度增加。两个方向都要核对。
温度系数怎样进入保护窗口
如果数据手册给出VBR温度系数或温度曲线，可以按实际工作温度估算击穿边界。计算结果应分别保留最小、典型和最大条件，而不是只算一个中心值。
建议按下面的顺序核对：
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统计接口或电源在正常状态下的最高持续电压，包括公差、充电电压、纹波和可接受过压。
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用最低环境温度和器件公差检查TVS是否仍与正常电压保持足够距离。
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用最高结温条件修正VBR，并读取目标浪涌电流附近的最大VC。
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把PCB走线和回流路径产生的寄生过冲加到后级引脚电压预算中。
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将结果与后级绝对最大额定值、功能允许范围及测试判据逐项比较。
如果资料只给25℃参数，没有温度曲线，不宜自行假设温度系数。可以向供应商索取曲线，或对候选样品做低温、高温下的受控脉冲与漏电对比。
同为24 V档，型号比较应看哪些条件
ASIM阿赛姆SMA04J24V、SMB06J24V和SMC15J24V的VRWM均为24 V，VBR范围均为26.7～29.5 V，最大VC均为38.9 V。三者对应的IPP分别为10.3 A、15.5 A和38.6 A，封装和峰值脉冲功率等级不同。
这组参数能说明相同电压档下，不同功率与封装可对应不同规定脉冲电流。它不能证明三者在所有温度下VBR完全一致，也不能把38.9 V当作任何波形、任何电流下的固定残压。用于高低温项目时，还应补齐：
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VBR随温度变化的曲线或系数；
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目标波形下的峰值电流与脉冲持续时间；
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峰值功率随环境温度和脉宽的降额；
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封装焊盘、铜面积与重复脉冲间隔；
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后级器件在上电、待机和故障状态下的耐压。
为什么低温也不能漏掉
当正温度系数器件处于低温时，VBR可能低于室温值。若系统最高正常电压又靠近VRWM，启动尖峰、充电电压或稳态纹波就可能触发额外电流。表现不一定是TVS立刻短路，也可能是待机电流变大、保险丝误动作或电源被拉低。
低温检查应在真实电源上做。实验电源设成一个干净的标称电压，往往看不到车载、工业电源或长线输入上的慢变化和短时过压。
高温下应怎样测
高温测试不能只把样机放进温箱后测一个VBR点。应让设备进入最差功耗工况，确认TVS附近的板温，再施加项目规定的浪涌或替代脉冲。
至少同步记录以下量：
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TVS两端电压和支路脉冲电流；
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后级电源芯片或接口芯片引脚处的峰值电压；
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脉冲前后的漏电、功能状态和器件表面温度；
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脉冲波形、极性、次数、间隔和样品编号。
不要用长示波器地线测纳秒到微秒级过冲。测量环路本身造成的振铃，可能让人误判为温度导致VC异常。
常见问题
TVS的VBR温度系数都是正的吗？
不能一概而论。常见雪崩型TVS在其工作区多呈正温度系数，但低电压结结构和不同工艺可能表现不同，应以具体型号曲线为准。
VBR升高后，VC一定按相同比例升高吗？
不一定。VC还受脉冲电流、动态电阻、芯片温升、波形及封装寄生影响，不能只用VBR比例直接换算。
选高一档VRWM能解决高温漏电吗？
可能降低正常状态下的漏电风险，却会抬高击穿和钳位窗口。后级耐压不足时，简单升档反而削弱保护。
没有温度曲线还能选型吗？
可以先做候选筛选，但不能完成极限条件确认。高低温项目应补充供应商数据或样品测试，再冻结型号。
把最低温下的误导通边界和最高温下的残压边界画在同一张电压窗口图上，TVS温度系数才真正进入了设计，而不是停留在参数表里。