SS6635E 是率能半导体（LEADPOWER）推出的单通道 H 桥全桥双向直流有刷电机驱动芯片，SOP‑8 贴片封装，专门用于中小功率直流电机的正反转控制，广泛用于电池供电类消费产品。
一、芯片概述
SS6635E 内部集成完整 H 桥功率回路，依靠两路逻辑输入引脚，完成电机前进、后退、紧急制动；芯片内置续流二极管，直接吸收电机感性负载断电产生反向冲击电流，无需外部续流二极管 ；具备微安级待机功耗、低导通内阻、过热保护，供电电压范围宽，非常适合玩具、电磁锁、小型机器人、阀门驱动等设备。 型号：SS6635E‑SO‑TP，SOP‑8 封装，卷盘包装 4000 颗 / 盘，符合 RoHS，引脚框架 100% 无铅环保。
二、关键电气参数
| 参数项 | 参数规格 |
|---|---|
| 工作电压 | 3.0V‑30V（宽压适配电池、直流电源） |
| 持续输出电流 | 4.5A |
| 峰值输出电流 | 10A |
| MOS 管导通内阻 Rds (on) | 典型值 100mΩ，大电流下压降低、发热小 |
| 待机电流 | ＜1μA，电池设备降低静态损耗 |
| 保护功能 | 过热保护、紧急制动功能，内置续流二极管 |
| 驱动对象 | 单路有刷直流电机 |
高峰值电流可以应对电机启动瞬间冲击；100mΩ 低内阻，大电流工况下芯片温升低，多数场景可省去散热片。
三、引脚定义（SOP8）
| 引脚号 | 引脚名 | 类型 | 功能说明 |
|---|---|---|---|
| 1 | BI | 逻辑输入 | 后退方向控制输入 |
| 2 | FI | 逻辑输入 | 前进方向控制输入 |
| 3 | GND | 电源地 | 芯片功率、信号公共地 |
| 4 | VCC | 功率电源 | 芯片供电输入端 |
| 5、6 | FO | 功率输出 | 前进输出，两个引脚并联，接电机一端 |
| 7、8 | BO | 功率输出 | 后退输出，两个引脚并联，接电机另一端 |
注意：5 与 6 脚内部并联，7 与 8 脚内部并联，原理图中必须把同组引脚短接后再接电机，充分利用芯片电流能力，避免单引脚过载烧坏芯片。
四、控制逻辑
仅靠 FI、BI 两个 IO 口即可控制电机，逻辑简单，普通单片机 IO 可直接驱动，不需要复杂 PWM 配置：
- FI = 高，BI = 低：电机前进（正转）
- FI = 低，BI = 高：电机后退（反转）
- FI = 高，BI = 高：紧急制动，电机快速刹车
- FI = 低，BI = 低：待机状态，芯片进入低功耗，待机电流＜1μA
五、典型应用电路解析
- 电源部分 ：VCC 引脚对地并联 470μF 电解电容 C2 + 0.1μF 陶瓷电容 C1。
- 0.1μF：高频去耦，滤除高频干扰；
- 470μF 电解电容：吸收电机启动、堵转带来的大电流冲击，稳定供电电压，防止电源电压跌落。
- 电机接线：FO（5、6 脚短接）接电机一端；BO（7、8 脚短接）接电机另一端。
- 输入控制：BI、FI 引脚接单片机 IO 口。
- GND：功率地和信号地共地，保证大电流回路的接地可靠性。
芯片内部集成续流二极管，电机两端不需要额外并联肖特基二极管，简化外围 BOM 成本CSDN博...。
六、内置保护机制
- 过热保护：芯片温度超过阈值自动关断输出，堵转、重载高温时保护芯片不烧毁，温度回落之后芯片恢复工作。
- 内置续流二极管：电机属于感性负载，断电瞬间会产生反向电动势，内部二极管释放冲击电流，避免反向高压击穿芯片。
- 紧急制动功能：FI、BI 同时置高电平，H 桥上下管同时导通，电机绕组短路，实现快速机械刹车。
七、应用场景
- 电磁门锁、电控阀门；
- 大电流玩具马达；
- 小型机器人行走机构；
- 无线充电设备传动机构；
- 各类 3‑30V 供电的单路直流电机控制系统。
八、优缺点总结
优点
- 外围电路极简，仅需两颗电源滤波电容；
- 大电流能力强，持续 4.5A、峰值 10A；
- 待机功耗极低，适合电池供电设备；
- 宽电压 3‑30V，兼容锂电池、适配器供电；
- 内置续流二极管，减少外部元器件。
局限
- 只能驱动一路电机，不能同时驱动两路电机；
- 芯片本身没有硬件电流限制，电机堵转时只有过热保护，长时间堵转依然会触发过热关断；
- 该芯片没有 PWM 调速功能，仅支持方向控制，如果要调速，需要在单片机侧对 FI/BI 输入 PWM 信号实现调速。