了解三极管的组成，分为基极，集电极和发射极。
1.三极管的核心特性为用基极的小电流，控制集电极-发射极之间的大电流，从而实现电流放大，也可以做电子开关。
2.三极管分为两大类，PNP与NPN。其中PNP发射极箭头指向基极，NPN发射极箭头离开基极。
了解三极管的种类，根据不同特性有不同的三极管。如根据功率，工作效率，封装形式，PN结材料等等。
如图为常见的三极管材料。
1.PNP三极管可以看作是两个二极管串联，空穴是多数载流子，电流方向从发射极流入。
放大条件：发射结正偏、集电结反偏；电位关系：V-e > V-b > V-c。
2.NPN三极管中间薄层为P型材料多数为自由电子。核心作用为放大弱信号（作为电路中最常用的三极管）
放大条件：发射结正偏、集电结反偏；电位关系：V-c > V-b > V-e。
如图为两类三极管的示意图。
当发射极反偏，集电极反偏时，三极管加入截止状态。此时基极没有有效的控制信号，导致两个PN结都关断了
发射极正偏，集电极反偏时，进入放大状态。，本质为小的基极电流，按比例控制大的集电极电流。
发射极正偏，集电极正偏时，进入饱和状态。，此时I-c不在随着I-b按β倍数增长。I-c = βI-b失效
此时C-E之间类似导通。
数字电路，三极管做电子开关导通时，就工作在饱和区。
左边的图为输出特性曲线图，描述三种工作状态下的基极电流I-b。右边的图为输入特性曲线图，描述基极电流I-b随发射结电压U-be的变化。
如图为mos管的两种类型。其中都含有三个极：
Gate（G）栅极：控制极，栅极几乎不取电流，只用电压控制导通
Source（S）源极：载流子来源
Drain（D）漏极：载流子流出端。
1.PMOS的导电载流子为空穴，采用源极S接高电位（VCC）的电源接法。栅极低电平->导通，栅极高电平->截止。
2.NMOS的导电载流子为自由电子。采用源极S接地电位（GND）的电源接法。栅极高电平->导通。栅极低电平->截止。
如图为PMOS与NMOS的等效模型。
如图，左边为NMOS的输出特性曲线，有图为转移特性曲线。