一、产品整体概述
EG3116D 为单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动，SOP‑8 封装，无内置功率管，外接 N 沟 MOS/IGBT ；高端 VB 悬浮耐压600V ；VCC 供电10‑20V，典型 15V ；图腾柱输出拉 2A、灌 2.5A；HIN、LIN 双双高电平有效；芯片无硬件桥臂互锁，允许上下管同时导通，死区与防直通完全依赖 MCU 软件；HIN、LIN 引脚内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；具备 VCC+VB 双路欠压锁存；静态电流典型 200μA；最高开关频率 500kHz；适配 3.3V/5V MCU；用于高压快充、无刷 BLDC 电机、变频水泵、600V 降压电源、高压 D 类功放。
版本对比：和 EG21814 逻辑特性类似（无硬件互锁），但为 SOP‑8 封装，集成 VCC+VB 双欠压保护；EG21814 是 SOP‑14 并且信号地 / 功率地分离。
二、五大核心差异化硬件优势
‑ 600V 高压自举悬浮半桥，大驱动电流 母线耐压最高 600V；VCC 工作 10‑20V；拉 2A、灌 2.5A，适配大栅电荷 MOS、IGBT；必须外接自举二极管 + 自举电容；逻辑高阈值 3.0V，MCU IO 直驱。
‑ VCC、VB 双路独立欠压锁存保护 VCC 开启 8.8V / 关断 8.2V；VB 悬浮电源开启 8.6V / 关断 8.1V；任意一路欠压直接关断 HO、LO，避免 MOS 驱动电压不足造成器件不完全导通过热损坏。
‑ 双双高有效逻辑，无硬件互锁保护 HIN 控制上管 HO，LIN 控制下管 LO；HIN=1 则 HO 输出高；LIN=1 则 LO 输出高；芯片内部不做互锁，硬件层面允许 HIN、LIN 同时为高，会造成桥臂直通炸管，MCU 软件必须严格控制时序、插入死区。
‑ 输入内置下拉，浮空安全 HIN、LIN 均内置 200kΩ 下拉电阻；引脚悬空 HO、LO 输出低电平，防止上电 IO 浮空误导通功率器件。
‑ SOP‑8 标准贴片封装 外围精简，VCC 旁路电容、自举回路、栅极电阻即可搭建电路。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 自举悬浮电平位移，需外接自举二极管；
- VCC+VB 双路独立欠压锁存保护；
- HIN、LIN 内置 200kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；
- 输入脉冲滤波，抑制尖峰干扰。
⚠️重要限制
- 仅栅极驱动，无内置 MOS，功率管全部外置；
- 无硬件死区、无桥臂互锁！硬件允许上下管同时导通，防直通、死区全部依靠 MCU 软件实现；
- 无芯片内置过温、无硬件过流保护；MOS 故障依靠外部采样 + MCU 处理；
- 没有 nFAULT 故障输出引脚，故障直接关断输出。
四、引脚功能定义（SOP‑8）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | VCC | Power | 芯片供电 10‑20V；就近接 0.1μF 高频旁路电容 |
| 2 | HIN | I | 高端输入，高电平有效；内置 200kΩ 下拉电阻 |
| 3 | LIN | I | 低端输入，高电平有效；内置 200kΩ 下拉电阻 |
| 4 | GND | GND | 芯片信号与功率地 |
| 5 | LO | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 6 | VS | O | 高端悬浮参考点，半桥中点 |
| 7 | HO | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
| 8 | VB | Power | 高端悬浮自举电源，接外部自举二极管阴极、自举电容 |
输入输出逻辑真值表 | HIN | LIN | HO | LO | 工作状态 | |---|---|---|---|---| | 0 | 0 | 0 | 0 | 上下管全部关断 | | 0 | 1 | 0 | 1 | 仅下管导通 | | 1 | 0 | 1 | 0 | 仅上管导通 | | 1 | 1 | 1 | 1 | 上下管同时导通（芯片允许，MCU 必须禁止该状态） |
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 旁路电容：VCC‑GND 之间 0.1μF 高频陶瓷电容紧贴引脚。
- 自举回路：VB‑VS 接自举电容；VB 外接耐压≥600V 快恢复自举二极管至 VCC；电容根据 MOS 栅电荷 Qg、工作频率选型。
- 栅极电阻 Rg：HO、LO 输出串联栅极电阻，靠近 MOS 栅极，抑制栅极振荡振铃。
- 功率器件：外接 N 沟道 MOS/IGBT 组成半桥拓扑，母线最高 600V。
- MCU 逻辑：软件必须严格管理 HIN/LIN 时序，手动加入死区，严禁 HIN 与 LIN 同时为高。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 旁路电容紧贴 VCC‑GND 引脚。
- 外部自举二极管、自举电容紧靠 VB、VS 引脚，缩短悬浮回路，减小寄生电感。
- HO、LO 栅极驱动走线尽量短；栅极电阻靠近 MOS 栅极，减小栅极环路，抑制高频振铃。
- VS 为 600V 高压桥臂中点，走线远离 HIN/LIN 逻辑信号线，避免高压噪声耦合误触发逻辑。
- 功率大电流回路与芯片小信号逻辑回路分开布局；GND 单点汇合，降低地弹噪声。
七、主流应用场景
600V 以内半桥拓扑：高压快充开关电源、无刷 BLDC 电机驱动器、变频水泵、电动车控制器、600V 降压电源、高压 Class‑D 音频功放。