MS32C001-C 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM® Cortex®-M0+ 内核，宽电压工作范围的 MCU。嵌入 18 KB Flash 和 1.5 KB SRAM 存储器，最高工作频率 24 MHz。包含多种不同封装类型产品。芯片集成1 路 12 位 ADC，2 个 16 位定时器。
内核与存储器：
内核 ：32 位 Cortex‑M0+，两级流水线冯诺依曼架构，内置单周期乘法器，最高工作主频24MHz；集成 NVIC 嵌套向量中断控制器，支持 4 级中断优先级、18 路外部可屏蔽中断，具备中断尾链加速，降低中断响应延迟。
Flash：18KB 主 Flash，另外包含 768Bytes 信息区，存放唯一 UID、选项字节、OTP 用户存储、工厂校准参数；Flash 支持按 4KB 单位写保护，防止误改写程序，擦写寿命最小 1000 次，55℃环境下数据保存可达 20 年。
SRAM：1.5KB 片上 SRAM，支持 8 位 / 16 位 / 32 位字节、半字、字访问；Stop 低功耗模式下寄存器与 SRAM 数据可保持不丢失。
时钟系统：
芯片内置多路时钟源，同时支持外部晶振 / 时钟输入，上电默认运行在内部 24MHz 高速 RC（HSI）：
HSI 内部高速 RC：24MHz，也可分频为 8MHz、4MHz；25℃@3.3V 典型精度 ±0.7%，支持软件微调，稳定时间典型 2μs。
LSI 内部低速 RC：32.768kHz，供给独立看门狗 IWDG、低功耗定时器 LPTIM，Stop 模式下可继续工作，典型功耗仅 210nA。
LSE 外部低速晶振：支持外接 32.768kHz 晶体，可做 RTC 类计时，提供多档驱动电流配置。
HSE 外部高速时钟：旁路模式支持 1~32MHz 外部时钟输入。
总线时钟：AHB、APB 最大时钟均为 24MHz，支持多级分频，灵活适配外设工作速率
电源、复位：
电源参数
工作电压范围1.7V ~ 5.5V，兼容锂电池、5V 直驱、3.3V 系统，IO 供电与主电源同域；绝对最大耐压 VCC 为 6.25V。
内部集成主调压器 MR、低功耗调压器 LPR；MR 用于正常运行、Sleep 模式；LPR 专门用于 Stop 模式，压低静态功耗。
复位机制
电源复位：POR 上电复位、PDR 掉电复位、BOR 欠压复位；BOR 通过选项字节开启，可配置 8 档阈值，上升 / 下降阈值独立设置，带迟滞防抖动。
系统复位：NRST 引脚外部复位、IWDG 看门狗复位、软件 SYSRESETREQ 复位、选项字节加载 OBL 复位。
低功耗模式：
共两类低功耗模式，适配电池供电产品：
Sleep 模式：关闭 CPU 时钟，NVIC、SysTick 继续运行，外设可按需保持工作；唤醒时间典型 0.6μs。
Stop 模式：关闭 HSI 高速时钟，SRAM、寄存器状态保持；GPIO、LPTIM、IWDG 均可作为唤醒源；MR 模式典型静态电流 75.3μA，LPR 调压且关闭外设最低可至 1.5μA；唤醒时间 6.4~10.6μs，取决于调压器模式。
封装信息：
QFN20:
QFN16:
