M-H图像分析

图 3 给出了 20 K 下，银掺杂量为 0、4、10 wt% 的块体 MgB₂样品临界电流密度随外加磁场的变化关系，数据由 M-H 回线基于 Bean 临界态模型计算得到。

所有样品的临界电流密度均随外加磁场升高而下降。从图中可以明显看出，与未掺银样品相比，所有掺银 MgB₂样品的临界电流密度均有所提升。在整个测试磁场范围内，4 wt% 银掺杂样品的临界电流密度比未掺杂样品高出约 30%。