射频工程

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耦合传输线分析学习笔记(八)对称耦合微带线S参数矩阵推导与应用（上）设四端口网络的端口电压和电流（定义所有电流流入网络为正）为： Vp=[U1,U2,U3,U4]T,Ip=[I1,I2,I3,I4]T. \mathbf{V}_p = [U_1, U_2, U_3, U_4]^T, \quad \mathbf{I}_p = [I_1, I_2, I_3, I_4]^T. Vp=[U1,U2,U3,U4]T,Ip=[I1,I2,I3,I4]T. 四端口网络反射波和入射波定义为： Bp=[b1,b2,b3,b4]T,Ap=[a1,a2,a3,a4]T.(1) \mathbf{B

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耦合传输线分析学习笔记(九)对称耦合微带线S参数矩阵推导与应用(下)本文参考梁昌洪老师简明微波、RF and Microwave Coupled-Line Circuits和洁仔爱吃冰淇淋的从耦合微带线到近、远端串扰

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RF and Microwave Coupled-Line Circuits射频微波耦合线电路4.2 使用均匀耦合线的方向性耦合器学习笔记（自用）本文参考RF and Microwave Coupled-Line Circuits图4.4 由均匀耦合对称线组成的四端口网络。

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微波工程4.3节散射矩阵(S参数矩阵)参考平面移动与广义散射参数学习笔记（下）（自用）由于S参量关联了入射到网络和从网络反射的行波的振幅（幅值和相位），因此必须确定网络的每个端口的相位参考平面。下面说明当参考平面从原位置zn=0z_{n}=0zn=0移动时，S参量是如何转换的。

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微波工程4.3节散射矩阵(S参数矩阵)学习笔记（上）（自用）前面讨论了为非TEM线定义电压和电流的困难程度。此外，测量微波频率下的电压和电流也很困难，因为直接测量通常会涉及给定方向的行波或驻波的幅值（得出功率）与相位。在与高频网络打交道时，这样的等效电压和电流及相关的阻抗和导纳在概念上会变得有些抽象。由散射矩阵给出的入射波、反射波和透射波的概念是与直接测量更为相符的表示方法。

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微波工程4.2节阻抗与导纳矩阵学习（自用）上一节介绍了如何才能定义TEM波和非TEM波的等效电压和电流。确定网络中不同点的电压和电流后，就可利用电路理论的阻抗和/或导纳矩阵把这些端点量或“端口”量联系起来，进而使用矩阵来描述网络。这种表述可用来开发任意网络的等效电路，在讨论无源元件如耦合器和滤波器的设计时，这种等效电路表述非常有用(端口一词是在20世纪50年代由H.A.Wheeler引入的，目的是取代表述不清的术语“两端点对”[2,3])。

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微波工程2.3节学习笔记（自用）本文参考Pozar的微波工程。仅供学习使用图 2.4 画出了一个端接任意负载阻抗 ZLZ_{L}ZL 的无耗传输线。这个问题将说明传输线中的波反射，这是分布系统的一个基本特性。这里设向右为Z正方向，负载接在Z=0处反射波产生由来，特性阻抗负载阻抗失配导致不满足同一个电压电流关系。假定有形式为 Vo+e−jβzV_{o}^{+} e^{-j \beta z}Vo+e−jβz 的入射波，它产生于 z<0z < 0z<0 处的源。我们已经知道，这一行波的电压和电流之比就是特征阻抗 Z0Z_{0}Z0。但

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巴伦学习（一）一种新型补偿传输线巴伦论文学习笔记（自用）本文参考Huei Wang老师课题组的文献K. -J. Koh and G. M. Rebeiz, “0.13-μ\muμm CMOS Phase Shifters for X-, Ku-, and K-Band Phased Arrays,” P. -H. Tsai, Y. -H. Lin, J. -L. Kuo, Z. -M. Tsai and H. Wang, “Broadband Balanced Frequency Doublers With Fundamental Rejection Enha

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耦合传输线分析学习笔记(六)不对称耦合微带线Z参数矩阵推导与应用图1 不对称耦合微带线这里讨论的是如图1剖面不对称，在图2中左右1和3端口、2和4端口满足对称条件图2 端口顺序定义

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耦合传输线分析学习笔记(七)不对称耦合微带线Y参数矩阵推导与应用图1 不对称耦合微带线这里讨论的是如图1剖面不对称，在图2中左右1和3端口、2和4端口满足对称条件图2 端口顺序定义

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简明微波2-12耦合传输线分析学习笔记(五)对称均匀耦合线Z参数矩阵推导要得到散射矩阵 [S][S][S] 的显式表达式，需从传输矩阵[A][A][A] 出发，利用电压电流与入射波、反射波的关系进行推导。假设四端口网络对称且各端口特性阻抗相同（均为 Z0=Z0eZ0oZ_0 = \sqrt{Z_{0e} Z_{0o}}Z0=Z0eZ0o ），推导过程如下。

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