借助高能效GaN转换器,提高充电器和适配器设计的功率密度如今,充电器和适配器应用很常用的功率转换器拓扑是准谐振(QR)反激式拓扑,因为它结构简单、控制简便、物料(BOM)成本较低,并可通过波谷切换工作实现高能效。然而,与工作频率密切相关的开关损耗和变压器漏感能量损耗,限制了QR反激式转换器的很大开关频率,从而限制了功率密度。 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器,有助于提高开关频率和功率密度。然而,为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度,软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。这必然导致选用本身效率更高的转换器拓扑。 本文阐述了如何将英