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幻象空间的十三楼2 年前
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对p-n结/AlGaN/GaN HEMTs中n-GaN掺杂浓度对栅极可靠性的影响在这项研究中，对具有不同有效n-GaN掺杂浓度（ND）的p-n结/AlGaN/GaN HEMTs进行了比较研究，包括1.7×1020 cm-3、2.6×1019 cm-3和1×1017 cm-3三种浓度。研究旨在揭示ND对栅极可靠性的影响。随着ND的降低，栅极泄漏电流减小，正向栅极击穿电压提高至18.6伏特，但当ND降低到1×1017 cm-3时，10年寿命的最大适用栅极电压将不会继续增加。这一特点归因于在完全耗尽的n-GaN表面处的电场拥挤引起的过早击穿现象。为了充分发挥PNJ-HEMTs的可靠性，建议
幻象空间的十三楼2 年前
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针对高可靠性和高性能优化的1200V碳化硅沟道MOSFET本文详细分析了新开发的Infineon 1200V CoolSiC™ MOSFET的典型静态和动态性能，该器件的设计目标是45 mΩ的导通电阻。为了与各种标准门极驱动器兼容，该器件的门压范围设计为在关态下为-5 V，在开态下为+15 V。经过长期门氧寿命测试，发现该器件的外在故障演化遵循线性E模型，这允许在规定的使用条件下对设备寿命内的故障率进行自信的预测，其20年内的故障率为0.2 ppm。