对p-n结/AlGaN/GaN HEMTs中n-GaN掺杂浓度对栅极可靠性的影响在这项研究中,对具有不同有效n-GaN掺杂浓度(ND)的p-n结/AlGaN/GaN HEMTs进行了比较研究,包括1.7×1020 cm-3、2.6×1019 cm-3和1×1017 cm-3三种浓度。研究旨在揭示ND对栅极可靠性的影响。随着ND的降低,栅极泄漏电流减小,正向栅极击穿电压提高至18.6伏特,但当ND降低到1×1017 cm-3时,10年寿命的最大适用栅极电压将不会继续增加。这一特点归因于在完全耗尽的n-GaN表面处的电场拥挤引起的过早击穿现象。为了充分发挥PNJ-HEMTs的可靠性,建议