对p-n结/AlGaN/GaN HEMTs中n-GaN掺杂浓度对栅极可靠性的影响在这项研究中，对具有不同有效n-GaN掺杂浓度（ND）的p-n结/AlGaN/GaN HEMTs进行了比较研究，包括1.7×1020 cm-3、2.6×1019 cm-3和1×1017 cm-3三种浓度。研究旨在揭示ND对栅极可靠性的影响。随着ND的降低，栅极泄漏电流减小，正向栅极击穿电压提高至18.6伏特，但当ND降低到1×1017 cm-3时，10年寿命的最大适用栅极电压将不会继续增加。这一特点归因于在完全耗尽的n-GaN表面处的电场拥挤引起的过早击穿现象。为了充分发挥PNJ-HEMTs的可靠性，建议