标题:二维颗粒状In-InOx复合物中的稳健反常金属态及自对偶性的遗迹许多研究磁场调控的超导体-绝缘体相变(H-SIT)的实验,常常在低温下观察到电阻饱和现象。这被解释为一种从“失败超导体”中涌现出的“反常金属态”,对传统理论提出了挑战。本文研究了一种生长在可栅压调制的氧化铟层上的随机颗粒状铟岛阵列。通过调节颗粒间耦合,在精细电磁滤波和宽线性响应范围内,我们观察到一个宽磁场区域中存在电阻饱和现象。暴露于外部宽带噪声或微波辐射会增强超导趋势,并在低磁场下恢复全局超导相。随着磁场增加,出现了一个“被避免的”H-SIT,并展现出由颗粒性引起的电阻/电导的对数发散,这表明了在真实H