在积极推进先进制程研发的同时，英特尔正在加大先进封装领域的投入。在这个背景下，该公司正在马来西亚槟城兴建一座全新的封装厂，以加强其在2.5D/3D封装布局领域的实力。据了解，英特尔计划到2025年前，将其最先进的3D Foveros封装产能扩增至目前的四倍，同时还向客户开放其先进封装解决方案，使其能够灵活选择。
外界普遍预测，随着英特尔整合了先进制程和先进封装的优势，其在晶圆代工领域将会变得更具竞争力。这将进一步与台积电、三星等厂商展开市场份额的争夺，未来这三家巨头在晶圆代工市场的竞争将变得更加引人注目。
同时，英特尔还在不断加强自身的封装能力，而且表示愿意将先进封装方案开放给客户选择。这可能会在封测市场引发一系列的变动，对专业半导体封测厂如日月光、艾克尔等产生影响。
就在台积电和三星都在积极发展先进封装技术时，英特尔也在该领域不断创新。英特尔的先进封装包括2.5D EMIB和3D Foveros方案。整个半导体产业中，从晶圆代工到先进封装，三家巨头之间的竞争态势得以延伸。
英特尔在2017年引入了EMIB封装技术，而第一代Foveros封装则在2019年推出，其凸点间距为50微米。预计今年下半年，英特尔将推出基于第二代Foveros封装技术的最新Meteor Lake处理器，凸点间距将进一步缩小至36微米。
尽管英特尔没有透露目前的3D Foveros封装产能，但它强调，在除了美国奥勒冈州和新墨西哥州之外，槟城新厂也将有相关产能布局，三个地点的3D封装产能合计预计将在2025年增加至目前的四倍。
英特尔副总裁Robin Martin在接受采访时强调，槟城新厂将成为英特尔最大的3D Foveros先进封装中心。
此外，英特尔还在两年前宣布投资35亿美元扩展新墨西哥州的先进封装产能，该项目至今仍在进行中。至于槟城新厂，英特尔表示，建设进展顺利，外界估计该新厂可能在2024年底或2025年完工投产。
值得注意的是，英特尔不仅仅在晶圆代工和封装方面展开了整合，它还开放了选择其先进封装方案的选项，旨在使客户能够更加灵活地生产产品。
在英特尔首席执行官基辛格的领导下，公司正在实施IDM 2.0战略，不仅增加了自身晶圆厂的产能，还在扩大晶圆代工业务的同时，希望能够更灵活地利用第三方的晶圆代工产能。
随着先进制程的发展，小芯片（Chiplet）和异构整合的趋势变得更加明显，英特尔的2.5D/3D先进封装布局不仅能够增强其处理器等产品的实力，还能成为其在争取更多晶圆代工业务方面的一个重要卖点。
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