通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
按掺入的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体
控制掺入杂质元素的浓度，可以控制杂质半导体的导电性能。
一、N型半导体（negative Semiconductor）
五价元素
在纯净的硅晶体中掺入五价元素 （如磷P），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N 型半导体。
浓度 多子 少子
N型半导体中自由电子的浓度 > 空穴的浓度 ，故称自由电子为多数载流子（简称多子 ）；空穴为小数载流子（简称少子）。
自由电子导电
N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度越高，导电性能越强。
施主原子
由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。
二、P型半导体
三价元素
在纯净的硅晶体中掺入三价元素 (如硼B)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体。
多子 少子
P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。
空穴导电
P型半导体主要靠空穴导电，掺入的杂质越多，空穴的浓度越高，导电性能越强。
受主原子
因杂质原子中的空位吸收电子，故称之为受主原子。