通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,可得到杂质半导体。
按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体
控制掺入杂质元素的浓度,可以控制杂质半导体的导电性能。
一、N型半导体(negative Semiconductor)
五价元素
在纯净的硅晶体中掺入五价元素 (如磷P),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N 型半导体。
浓度 多子 少子
N型半导体中自由电子的浓度 > 空穴的浓度 ,故称自由电子为多数载流子(简称多子 );空穴为小数载流子(简称少子)。
自由电子导电
N型半导体主要靠自由电子导电,掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度越高,导电性能越强。
施主原子
由于杂质原子可以提供电子,故称之为施主原子。
二、P型半导体
三价元素
在纯净的硅晶体中掺入三价元素 (如硼B),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P 型半导体。
多子 少子
P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子。
空穴导电
P型半导体主要靠空穴导电,掺入的杂质越多,空穴的浓度越高,导电性能越强。
受主原子
因杂质原子中的空位吸收电子,故称之为受主原子。