一、概念
VBAT
- 当使用电池或其他电源连接到VBAT脚上时，当VDD断电时，可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。
- 如果应用中没有使用外部电池，VBAT引脚应接到VDD引脚上。
VCC：C=circuit
- 表示电路的意思,
- 即接入电路的电压；
VDD：D=device
- 表示器件的意思,
- 即器件内部的工作电压；
VSS：S=series
表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。
二、器材
2.1、稳压器
2.1.1、12V转5V 78L05
- 输出极性：正
- 最大输入电压：30V
- 输出电压：5V
- 输出电流：100mA
应用电路
2.1.2、12V转5V稳压芯片 78M05
- 输出极性：正。
- 最大输入电压：35V。
- 输出电压：5V。
- 输出电流：500mA。
- 电源纹波抑制比(PSRR)：78dB@(120Hz)。
- 稳压芯片 5.0V 500mA 。
2.1.3、5V转3.3V 7533-1
- 输出电压：3.3V
- 输出电流：1A
- 电源纹波抑制比(PSRR)：72dB@(120Hz)
- 3.3V固定输出，低压差1.1V(typ)@Iout=1A，Vin=15V(Max)
2.2、三极管
2.2.1、丝印1AM是MMBT3904
- 晶体管类型：NPN。
- 集射极击穿电压(Vceo)：40V。
- 集电极电流(Ic)：200mA。
- 功率(Pd)：200mW。
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 1AM 100-300。
- NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A,hfe=100~300,丝印1A。
2.2.2、MMBT2222A 1P
- 晶体管类型：NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)：40V
- 集电极电流(Ic)：600mA
- 功率(Pd)：300mW NPN,Vceo=40V,Ic=600mA,RANGE: 100-300 丝印1P
- 作用:放大信号。
1p三极管是晶体管。晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关.
2.2.3、丝印J3Y三极管的型号是s8050
- 晶体管类型：NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)：
- 25V 集电极电流(Ic)：500mA
- 功率(Pd)：300mW
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V L档 120-200 NPN
J3Y可以与1AM相互替换，但能与1P相互替换，1AM是普通的NPN型三极管，HP是高性能三极管。
2.3、二极管
2.3.1、S4
1、最大正向电压Vr：40V，最大正向电流Io：350mA。
2、正向电流下的正向电压Vf：600mV@200mA，反向电压Ir：5uA@30V。
S4二极管还具有高效率、低损耗、稳定性高等优点，因此被广泛应用于各种电子设备中。
三、电池管理芯片
3.1、
原理图参考
1、磁珠
- 型号：C43163
- 标称阻抗@测试频率：0Ω@100MHz 直流电阻(RDC)：100mΩ
- VDD:芯片工作的正电压。
- VDDA：芯片工作的模拟电压。
- VSS：芯片工作的负电压。
PCB上的信号走线、电源不可避免的有一些高频噪声，这时候就需要磁珠来抑制这些噪声，使信号、电源更为的干净。