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亚阈值区；
此时电流的公式与BJT的Ice类似，都是指数率的关系；
不过mos管在亚阈值区的控制能力没有BJT那么强，其系数一般在1~1.5；
亚阈值区的饱和条件，即Vds>=4Vt约等于100mv；此时即进入亚阈值区的饱和状态；
上面还有亚阈值区的三个特点，噪声大，速度慢，低功耗；
主要关注Cgs和Cgd；
这里给出一个参考书，关于在nm级工艺下，手算结果严重偏离，此时应该如何通过一些仿真工具来帮助我们计算，模拟电路特性；
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上面是理想放大器的几个特点；
即极大的小信号输出范围、极大的频率范围；
以及：
无穷大的输入阻抗；
无穷大的驱动能力（在电压型放大器中，就需要的输出阻抗为0）；
可以结合下图来理解为什么在电压型放大器中需要输出阻抗为0；
如果是电流型放大器，此时需要的是输入阻抗为0，输出阻抗为无穷大；
共源级放大器，共哪一端，就是把哪一端交流接地；
当然了，这里刚好在直流时也是接地的；
在一开始，我们主要关注的是放大器的三个特性，即DC的摆幅，小信号的增益，输入、输出阻抗；
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二极管连接里面；如果是pmos的话，衬底还是可以继续连接源；
但是如果是nmos，则如果是deep nwell，则可以继续连接源，如果不是，则此时还是连接到地，但这时候就存在衬偏效应；
会影响到M2管的阈值电压；
一种新的放大器结构，结构像反向器；
这种结构的CS放大器，和负载为电流源的放大器类似，都是高增益的；
但是问题也是同样的，即很难确定输入的偏置点；
所以此时先只关注其输出摆幅，都是下面图中最上面一行的大小关系；
Vod这里是过驱动电压的意思；
这种放大器叫
class-AB放大器；
对VDD很敏感；
带源极负反馈电阻的CS；
