制造商:ISSI
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS:是
存储容量:4 Mbit
安排:256 k x 16
拜访时间:10 ns
接口类型:Parallel
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:2.4 V
电源电流---最大值:45 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装:TSOP-44
封装:Tray
数据速率:SDR
存储类型:SDR
系列:IS61WV25616BLL
类型:Asynchronous
商标:ISSI
端口数量:1
湿度敏感性:Yes
产品类型:SRAM
工厂包装数量:135
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:470 mg
IS61WV25616BLL-10TLI 是一款 256K x 16 位高速异步 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）。以下是其
主要功能和参数介绍：
1.存储容量：256K x 16 位，提供 256Kb（32KB）的数据存储空间。
2.工作电压：2.7V 至 3.6V，兼容低电压和高电压应用。
3.工作温度：-40°C 至 85°C，适用于各种环境。
4.高速性能：具有较高的读写速度，适用于对速度有要求的系统。
5.异步访问：支持异步读写操作，无需同步时钟信号。
6.CMOS 技术：采用 CMOS 技术，具有较低的功耗和较高的集成度。
7.封装形式：TSOP-II 封装，引脚数为 44。
8.时序参数：包括访问时间、读写周期等，具体参数请参考数据手册。
9.电源电流：典型值为 6mA（2.7V 时）至 8mA（3.6V 时）。
10.封装尺寸：7.5mm x 7.5mm，高度为 1.1mm。
如何使用IS61WV25616BLL-10TLI芯片进行数据存储？
要使用 IS61WV25616BLL-10TLI 芯片进行数据存储，请遵循以下步骤：
1.确保工作电压和温度范围。在使用 IS61WV25616BLL-10TLI 之前，请确保工作电压在 2.7V 至 3.6V 之间，工作温度在 -40°C 至 85°C 范围内。
2.连接芯片引脚。将 IS61WV25616BLL-10TLI 连接到电路板上，并根据数据手册中的引脚排列正确连接各个引脚。主要引脚包括电源和地线、地址总线、数据总线、读写控制信号等。
3.初始化数据存储。在开始存储数据之前，您需要初始化数据存储区域。通常，这可以通过向芯片发送特定的命令或地址来完成。具体初始化过程可能因应用而异，请参考数据手册以获取详细信息。
4.读写数据。使用读写控制信号，您可以将数据从处理器或其他设备传输到 IS61WV25616BLL-10TLI，或将数据从 IS61WV25616BLL-10TLI 传输到处理器或其他设备。在进行读写操作时，请确保地址总线和数据总线上的信号与芯片的要求相匹配。
5.确保数据稳定。在进行读写操作后，请给芯片留出足够的时间使数据稳定。这通常与芯片的访问时间和数据传输速率有关。请参考数据手册以获取关于数据稳定性的详细信息。
6.关闭电源。当不再需要使用 IS61WV25616BLL-10TLI 时，请关闭电源以节省能源并保护数据。
