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一是EEPROM操作简单,EEPROM写操作简单,写之前不需要擦除,而flash在写之前必须要先擦除。如果只是替换其中几个字节,需要先把整个扇区搬移到另外一个扇区,擦除要写的这个扇区,再把新的内容写进去,当然有文件系统会自动做这些,而且不是每次改写都要擦除,但相较于EEPROM还是很复杂。
二是EEPROM的寿命比flash高,一般EEPROM最少是100w次的,像ST的EEPROM手册里都标称400w,我做过实验这种EEPROM可以达到小2000w次的寿命;而flash的标称寿命是10w次,我做寿命实验也都是四五十w次左右,远远低于EEPROM。
三是EEPROM功耗低,如果需要掉电保护数据,电解电容的电都足够EEPROM使用。如果还需要在掉电下从EEPROM读数据,而且对功耗又比较敏感,EEPROM就可以很好的满足需求。
EEPROM的缺点主要就是单位容量价格贵,相比于flash动不动都是MB的单位,EEPROM一般都是KB的单位。主要还是看需求,如果存储的数据不多,对功耗又比较敏感,那么EEPROM是比较合适的。就算是需要用到flash,那么可以在EEPROM中放一些重要的参数,EEPROM的可靠性还是高于flash的。