电力晶体管（Giant Transistor，GTR）是一种全控性器件 ，以下是关于它的详细介绍：（模电普通晶体管三极管进行对比学习）
基本概念
GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BJT） ，也称为Power BJT。它是电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力，可在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路（开关特性不错） 中实现对电流和电压的精确控制。
结构
GTR由三层半导体 、两个PN结组成，有PNP和NPN两种类型，通常多用NPN结构。以NPN型为例，有发射区（Emitter，E）、基区（Base，B）和集电区（Collector，C） 三个区域，发射区和基区之间形成发射结（JE），基区和集电区之间形成集电结（JC）。
工作原理
使用的时候通常按照达林顿接法构成单元结构采用共发射极的接法。
三个晶体管按照达林顿接法，可以有效的增大电流放大增益。（目的）
在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。
正偏（Ib>0）时大电流导通；
反偏（Ib<0）时处于截止状态。放大状态下，集电极电流是基极电流的β倍，实现电流放大功能。饱和状态时，集电结正偏，集电极 - 发射极电压很低，呈现低电阻状态 。截止状态时，发射结和集电结都反偏，仅有很小的漏电流，呈现高电阻状态。
基本特性
耐压高，电流大，开关特性好。
- 静态特性：共发射极接法时可分为截止区、放大区和饱和区。
- 动态特性：
开通时间是从基极输入正向信号开始，到集电极电流上升至稳态值的90%所需的时间。
关断时间包括储存时间 ts（让晶体管退出饱和的时间），和关断时间 tf是从基极输入负向信号开始，到集电极电流下降至稳态值的10%所需的时间。
主要参数
包括最高工作电压、
集电极最大允许电流ICM、
集电极最大允许耗散功率PCM、最高工作结温TJM等。
GTR的二次击穿现象与安全工作区
一次击穿:集电极电压升高至击穿电压时，ic 迅速增大。只要/不超过限度。GTR一般不会损坏，工作特性也不变。
二次击穿:（特有的二次击穿临界线）一次击穿发生时，ic 突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变。
安全工作区(Safe Operating Area-SOA)最高电压Ucem、集电极最大电流/cm、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。
优缺点
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优点：饱和压降低、开关时间短、安全工作区宽、开关损耗小，电路灵活成熟。
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缺点：驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。