Rohm发布TOLL封装650V GaN HEMT,引领汽车用GaN器件大规模生产新浪潮

Rohm震撼发布TOLL封装650V GaN HEMT,引领汽车用GaN器件大规模生产新浪潮。在创新的TOLL(TO LeadLess)封装技术的怀抱中,Rohm精心孕育出650V GaN HEMT这一瑰宝,此技术正如一股强劲东风,日益吹拂于高功率处理需求的广阔天地,特别是在工业设备的钢铁脉络与汽车系统的智能血脉之中。

此番发布,Rohm携手ATX,将封装的匠心制造巧妙外包,共绘科技蓝图。回溯至2023年4月,Rohm已扬帆起航,批量产出其首代650V GaN HEMT,随后更以破竹之势,发布了将栅极驱动器与650V GaN HEMT巧妙融合于单一封装之中的功率级IC,犹如科技森林中的参天大树,屹立不倒。

而今,Rohm再次以卓越之姿,开发出在TOLL封装中蕴藏第二代元件的惊世之作,并将其优雅地嵌入现有的DFN8080封装家族,犹如为Rohm的650V GaN HEMT封装系列插上翅膀,翱翔于更小、更高效的高功率应用市场蓝天,精准捕捉市场需求的风向标。

据悉,此新品在器件指标上勇攀高峰,傲视群雄,该指标犹如桥梁,巧妙连接ON电阻与输出电荷(RDS(ON)×Qoss)的彼岸。而在2024年12月10日宣布的合作盛宴上,台积电与ATX携手共进,台积电担纲前端WARE流程的领航者,ATX则深耕后端进程,共筑科技长城。

更值得一提的是,Rohm与ATX已立下鸿鹄之志,共谋汽车级GaN器件的生产大业。面对汽车行业对GaN器件的热烈追捧,Rohm不仅矢志不渝地推进自主研发,更以开放的姿态,加强合作伙伴关系,犹如铺设高速公路,确保汽车级GaN器件的迅速问世,共赴科技未来的璀璨旅程。

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