一、应用场景不同
现阶段单片机的内核有cortex-M3或者cortex-A7等，一般M3内核主要用来移植一些轻量级操作系统，例如FreeRTOS,rtthread等，但是A7内核一般会用来移植linux操作系统，问题来了，我该怎么知道我要用什么系统了。
linux:
- Cortex-A7 ：是为计算 而生的平台，追求吞吐量，为运行大型操作系统和复杂应用提供基础。平均速度快，但最坏情况下的延迟很高且不可预测。
- 比喻：一个城市的管理员，它的目标是让整个城市繁荣稳定，能同时处理无数任务，保证每个任务最终都能得到处理，但不保证某个紧急任务一定能被立即处理（内核的"不可抢占性" ）。
RTOS：
- Cortex-M3 ：是为控制 而生的大脑 ，追求实时、高效、低成本地控制硬件。访问内存的速度是固定且可预测的。
- 比喻：一个精确的自动驾驶仪 。它的目标单一而极端：保证某个特定任务必须在绝对确定的时间点内完成，毫秒不差。
二、读写指令架构不同
传统单片机（如Cortex-M系列，无DDR，只有SRAM和Flash）
PC指针指向Flash中的指令i++（假设i是全局变量）。
CPU从Flash中取出指令并解码，发现需要操作变量i。
访问SRAM：
- 读取阶段：CPU直接访问SRAM中i的地址，将当前值（例如5）加载到寄存器（如R0）。
- 计算阶段：CPU在寄存器中执行R0 = R0 + 1（现在R0=6）。
- 写入阶段：CPU将R0的值写回SRAM中i的地址。
应用处理器（如Cortex-A7，带DDR和缓存）
PC指针指向DDR中的指令i++（指令可能已被缓存到L1指令缓存）。
CPU解码指令，发现需要操作变量i。
访问数据：
- 缓存查找 ：CPU首先检查L1数据缓存（SRAM）中是否有i的值：
缓存未命中：触发"缓存行填充"，从DDR中加载i所在的内存块（如64字节）到L1缓存，再读取i的值（较慢）。
缓存命中：直接从L1缓存读取i的值到寄存器（最快）。
计算阶段：CPU在寄存器中完成i+1的计算。
写回数据：
新值先写回L1缓存（SRAM），此时DDR中的i可能还未更新。
根据缓存策略（写透/写回），数据可能同步或异步更新到DDR。
总结：
linux系统中平均运行指令的速度肯定比RTOS快，原因就在于从flash取指令是一个特别耗时的过程，虽然linux会将DDR的部分代码段拷贝到SRAM中耗时，但是后续直接在SRAM处理是特别快的。
RTOS中的SRAM ：用于存储堆，栈，全局和静态变量区的数据。
Linux中的SRAM ：作为CPU和DDR之间的高速缓冲 ，用于存储部分代码段和部分数据，目标是减少访问DDR的次数。
DDR ：作为主内存，存储所有数据和代码，但CPU不直接访问它，而是通过缓存间接访问。
为什么linux不采用flash作为主存，而采用DDR?我们在低端芯片中，程序都是存放在flash中的，它的特性是掉电不丢失，但是在高端芯片里面，flash的读写速度已经无法满足现代高性能处理器（如Cortex-A7）对代码执行速度的苛刻要求，因此需要放在一个运行速度更快的存储设备DDR中，它掉电不保存，这也就意味着，我们需要先把程序存储在一个掉电保存的存储介质中，然后在将其加载到DDR中。
三、吞吐速率不同
通过网线传递大量数据，两者的处理方式完全不同
传统单片机（如Cortex-M系列）
1、物理层PHY芯片接收数据
2、MAC层处理与DMA请求，将数据直接从MAC的FIFO中写入到SRAM中
3、 当DMA完成一帧数据的传输后，或者当MAC的接收FIFO达到一定水位时，中断控制器会产生一个中断信号，通知CPU处理数据
4、 CPU保存当前执行现场的上下文 ，跳转到预先设置好的中断服务程序，拷贝数据，开始处理
应用处理器（如Cortex-A7）过程其实和上述大致一样，我主要讲解一下区别
传统方式 ：每个数据包到达都触发一个中断，CPU马上处理。Linux NAPI ：第一个包到来触发中断。在中断处理程序上半部 中，屏蔽进一步的中断 ，并轮询（Poll）网卡一段时间，一次性收取多个数据包 ，然后再打开中断。它通过牺牲单次处理的实时性，换取了处理海量数据时的整体效率。
支撑linux一次性读取多个数据包的硬件条件是DDR，SRAM的容量小（几KB到几MB），当网络数据洪峰到来时，它的缓冲区一下子就被填满，但是DDR的容量大（几百MB到几GB），所以可以很轻松开辟一个大缓冲区接收数据
四、核心数量不同
Cortex-A7 ：支持 1 到 4 个核心。它的设计初衷就是支持多核配置，以实现更强的并行处理能力。
Cortex-M3 ：只有 1 个核心。它的设计目标是单核的实时控制和低功耗处理。
五、时钟频率不同
Cortex-M3：几十MHz ~ 几百MHz
Cortex-A7：几百MHz ~ 多核GHz
时钟频率：CPU执行操作的基本节拍
指令周期：CPU从取出一条指令到执行完这条指令 所需要的全部时间。（Cortex-M3 没有" 指令周期**"概念** ，大多数指令执行只需 1 时钟周期 （如
ADD,MOV,LDR,STR））机器周期： CPU完成一个最基本总线操作 （如一次内存读）所需的时间。（Cortex-M3没有"机器周期"概念 ，现代CPU的SRAM与CPU同频工作，内存访问无需等待，因此"总线操作时间"直接等于时钟周期。所有操作直接用时钟周期计量，无需"机器周期"作为中间层）
在 Cortex-M3 中，时钟周期 ≈ 机器周期 ≈ 指令周期 ，因为"机器周期和指令周期已淘汰，所有时间直接以时钟周期计算"。
例如：i++；是一条代码，编译器会将i++编译成下述指令
LDR R0, =0x20000100 ; 将i的地址加载到R0（一个时钟周期，可能被优化掉）
LDR R1, [R0] ; 从内存加载i的值到R1（一个时钟周期）
ADDS R1, R1, #1 ; R1 = R1 + 1（一个时钟周期）
STR R1, [R0] ; 将R1的值存回内存（一个时钟周期）
六、专业名词讲解
（1）SRAM Static Random-Access Memory，中文是静态随机存取存储器。静态"：指的是只要保持通电，它里面存储的数据就能一直"稳定地"保存着，"随机存取"：指的是它可以随时读取或写入任何地址的数据，
（2）DRAM 的全称是 Dynamic Random-Access Memory，中文是动态随机存取存储器 ,动态"详解 数据被写入后，就像用铅笔写在文件架上的便签 ，即使不停电，字迹也会慢慢变淡直至消失（电容电荷泄漏） 。因此，必须有一位助理定期地、一遍遍地 把所有便签重新描一遍（刷新），才能保住数据。计算机的主内存（我们常说的8GB、16GB内存就是它）。
（3）DDR 的全称是 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory 。 中文翻译为：双倍数据速率同步动态随机存取存储器，它指的是在每个时钟周期（Clock Cycle）的 上升沿（Rising Edge） 和 下降沿（Falling Edge） 各可以传输一次数据，本质上还是DRAM，只是速度是他的两倍。